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J-GLOBAL ID:201702264714829892   整理番号:17A0303479

シリコンとタングステンナノワイヤにおける自己制限酸化の2次元モデリング【Powered by NICT】

Two-dimensional modeling of the self-limiting oxidation in silicon and tungsten nanowires
著者 (6件):
資料名:
巻:号:ページ: 195-199  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2867A  ISSN: 2095-0349  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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ナノワイヤの自己制限酸化は反応または拡散律速過程として記述されている。本稿では,有限反応性領域の概念は拡散律速モデルに導入し,その上に二次元円筒動力学モデルはシリコンナノワイヤの酸化のために開発した基づいており,タングステン用に拡張した。モデルでは,拡散係数は膨張酸化反応誘起応力によって影響される。曲率と温度に及ぼす酸化の依存性をモデル化した。モデルの予測と入手可能な実験データとの間の良好な一致が得られた。開発したモデルは,二次元ナノ構造中での酸化を定量化するために役立ち,熱酸化法によるそれらの製造を促進することが期待される。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
著者キーワード (4件):
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分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス材料  ,  固体デバイス製造技術一般  ,  トランジスタ 

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