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J-GLOBAL ID:201702264770886699   整理番号:17A0181033

ウエハ融着により作製した長波長VCSEL【Powered by NICT】

Long wavelength VCSELs made by wafer fusion
著者 (9件):
資料名:
巻: 2016  号: IPC  ページ: 337-338  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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長波長(LW)垂直共振器形面発光レーザ(VCSEL)をデータセンタにおける光相互接続のための重要な低コストと低消費電力源,センシングと分光法[1,2]であった。設計における最近の進歩,ウエハ融着を用いて作製したそのようなデバイスの製造と工業化,InP系の活性構造をもつGaAs系分布Bragg反射器(DBR)の統合とミラーの独立最適化と融合の前に能動共振器特性を議論した。GaAsミラーとInPベースの光利得構造は有機金属気相エピタクシー(MOVPE)により成長させた。VCSEL構造は,利得媒質と電流と光閉込めのためのトンネル接合(TJ)開口として5~6InAlGaAs圧縮歪量子井戸(QW)をもつInPベース活性領域を含み,二GaAs/AlGaAs Bragg反射鏡(Fig.1a)に二重融解した。エピタキシャル成長,デバイス設計とプロセス最適化により室温と80°Cで3mWまでで6 8mWの単一モード出力を放出すると1.5μm帯VCSELを実証した(Fig.1b)[3,4]。さらに,高収率とTelcordia信頼性の粗波長分割多重化システムのための工業的に製造された10Gb/s全CWDM波長セットVCSELデバイスが開発されてきた[5~6]。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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半導体レーザ 
タイトルに関連する用語 (5件):
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