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J-GLOBAL ID：201702264822422876   整理番号：17A0832956

ZnO nanorods/Si太陽電池中の深いトラップ【Powered by NICT】

Deep traps in the ZnO nanorods/Si solar cells

著者 (10件)： Gwozdz K. (Department of Quantum Technologies, Faculty of Fundamental Problems of Technology, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, PL50-370 Wroclaw, Poland) ,  Placzek-Popko E. (Department of Quantum Technologies, Faculty of Fundamental Problems of Technology, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, PL50-370 Wroclaw, Poland) ,  Zielony E. (Department of Quantum Technologies, Faculty of Fundamental Problems of Technology, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, PL50-370 Wroclaw, Poland) ,  Paradowska K.M. (Department of Quantum Technologies, Faculty of Fundamental Problems of Technology, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, PL50-370 Wroclaw, Poland) ,  Pietruszka R. (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Aleja Lotnikow 32/46, PL-02668 Warsaw, Poland) ,  Witkowski B.S. (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Aleja Lotnikow 32/46, PL-02668 Warsaw, Poland) ,  Kopalko K. (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Aleja Lotnikow 32/46, PL-02668 Warsaw, Poland) ,  Godlewski M. (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Aleja Lotnikow 32/46, PL-02668 Warsaw, Poland) ,  Godlewski M. (Department of Mathematics and Natural Sciences College of Sciences, Cardinal Stefan Wyszynski University, Dewajtis 5, 01-815 Warsaw, Poland) ,  Chang Liann-be (Department of Electronic Engineering and Green Technology Research Center, Chang-Gung University, Taoyuan, Taiwan)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 708  ページ： 247-254  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型シリコン基板上に水熱法により成長させたn型ZnOナノロッドから成る太陽電池で実施した電気測定。ナノロッドはサイズ20 30nmと50 60nmの銀ナノ粒子で覆われていた。ナノロッドおよびナノ粒子の直径と密度を走査電子顕微鏡(SEM)と原子間力顕微鏡(A FM)画像から決定した。構造物の上にZnO:Al(AZO)層は原子層堆積(A LD)法を用いた透明電極として析出した。電池の効率は~3.4%であることが分かったが,より大きなナノ粒子をもつ試料はより良好な性能を示した。電流-電圧(I V)測定と照明強度の解析は,表面再結合がそれらの性能を劣化させると結論した。容量-電圧(C V)特性の測定は,ZnO/Si界面でのZnOとビルトイン電圧中のドナーの濃度を決定することができた。深準位過渡分光法(DLTS)の測定を,表面とZnOナノロッドにおける深い欠陥の存在を確認した。他で報告されたデータと比較して得られた結果は,欠陥密度は他の技術的方法で作製した類似ヘテロ接合ZnO/Si太陽電池の場合よりもはるかに少ないと結論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 原子間力顕微鏡 ,  水熱合成 ,  透明電極 ,  *酸化亜鉛 ,  *太陽電池 ,  電気測定 ,  欠陥密度 ,  電流 ,  走査電子顕微鏡 ,  界面 ,  ナノロッド ,  ヘテロ接合 ,  電圧
準シソーラス用語： 酸化亜鉛ナノロッド ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ZnO ,  Nanorods ,  DLTS ,  表面状態 ,  超線形光伝導

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： ZnO ,  Si ,  太陽電池 ,  トラップ