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J-GLOBAL ID：201702264855022022   整理番号：17A0205035

自己ドープPt/HfO2の高度に改良された抵抗スイッチング性能:原子層堆積によるCu/Cuデバイス【Powered by NICT】

Highly improved resistive switching performances of the self-doped Pt/HfO2:Cu/Cu devices by atomic layer deposition

著者 (8件)： Liu Sen (College of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology) ,  Wang Wei (College of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology) ,  Li Qingjiang (College of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology) ,  Zhao Xiaolong (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Li Nan (College of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology) ,  Xu Hui (College of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology) ,  Liu Qi (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Ming (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Science China. Physics, Mechanics & Astronomy  (Science China. Physics, Mechanics & Astronomy)
巻： 59  号： 12  ページ： 127311-1-127311-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2587A  ISSN： 1674-7348  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属酸化物電気化学メタライゼーション(ECM)メモリは次世代不揮発性メモリの有望な候補である。しかしこのメモリは導電性フィラメントの固有ランダム性に起因する抵抗スイッチングパラメータの大きな分散に悩まされている。本研究では,抵抗スイッチング特性を改善するために,自己ドーピングアプローチを提案した。作製したPt/HfO_2:Cu/Cuデバイスは優れた不揮発性メモリ特性,高均一性,良好な耐久性,長い保持と高速スイッチング速度を示した。結果は自己ドーピングアプローチは金属-酸化物-ECM記憶性能を改善する有効な方法であると自己ドープPt/HfO_2:Cu/Cuデバイスは,将来の不揮発性メモリ応用のための大きな可能性を持つことを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化物 ,  不揮発性メモリ ,  *酸化ハフニウム ,  耐久性 ,  電気化学 ,  ドーパント ,  高速度 ,  メタライゼーション ,  記憶装置 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： スイッチング速度 ,  オートドーピング ,  ランダム性 ,  導電性フィラメント ,  *抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 抵抗スイッチング ,  不揮発性メモリ ,  ECM ,  Cuドーパント

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 自己 ,  ドープ ,  Pt ,  HfO2 ,  スイッチング性能 ,  原子層堆積 ,  Cu