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J-GLOBAL ID：201702264862256534   整理番号：17A0345840

ガス源分子が成長するINPBI薄膜材料中の深い準位中心【JST・京大機械翻訳】

Deep Centers in InPBi Thin Film Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy

著者 (10件)： Wang Hailong (Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Polarization and Information Technology,College of Physics and Engineering,Qufu Normal University) ,  Wei Zhilu (Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Polarization and Information Technology,College of Physics and Engineering,Qufu Normal University) ,  Li Yaoyao (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Kai (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences) ,  Pan Wenwu (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences) ,  Wu Xiaoyan (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences) ,  Yue Li (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences) ,  Li Shiling (Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Polarization and Information Technology,College of Physics and Engineering,Qufu Normal University) ,  Gong Qian (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Shumin (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 37  号： 12  ページ： 1532-1537  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 深準位過渡(DLTS)を用いて,ガス_(1-X)BI_X材料中の深いエネルギー中心の特性を研究した。未ドープINPにおいては,多くのキャリアエネルギー準位中心E_1が観測され,E_1のエネルギー準位はE_C-0.38EVであり,捕獲断面積は1.87×10(-15)CM2であった。未ドープのINP_(0.9751)BI_(0.0249)において,少数キャリアのH_1が観測され,H_1のエネルギー準位はE_V+0.31EVであり,断面積は2.87×10(-17)CM2であった。深い中心のE_1は,本のP_(IN)に由来し,深い中心のH_1は,BI原子によって形成されるか,または,より複雑なBIに関連するクラスタに由来する可能性がある。これらの欠陥の起源を明らかにすることは、INPBI材料のデバイス応用にとって重要な意義がある。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア ,  断面積 ,  *深い準位 ,  エネルギー準位 ,  クラスタ ,  深準位過渡分光法 ,  ドーピング ,  少数キャリア
準シソーラス用語： 捕獲断面積 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： InPBi ,  deep center ,  deep level transient spectroscopy (DLTS) ,  gas source molecular beam epitaxy (GSMBE)

分類 (1件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (5件)： ガス源 ,  分子 ,  成長 ,  薄膜材料 ,  深い準位