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J-GLOBAL ID：201702264970434584   整理番号：17A0602371

Ku帯衛星通信用高利得・高出力内部整合型GaN HEMT

著者 (5件)： 國井徹郎 (三菱電機 高周波光デバイス製作所) ,  野田健一 (Wave Technol.) ,  南出啓信 (三菱電機 高周波光デバイス製作所) ,  小山英寿 (三菱電機 高周波光デバイス製作所) ,  前原宏昭 (三菱電機 高周波光デバイス製作所)
資料名： 三菱電機技報
巻： 91  号： 5  ページ： 293-296  発行年： 2017年05月20日 
JST資料番号： F0198A  ISSN： 0369-2302  CODEN： MTDNAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Ku帯衛星通信用送信機の高出力化,小型化要求に対応するため,三菱電機ではKu帯GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)(以下“GaN MMIC”という)と内部整合型GaN HEMTのラインアップ拡充を図っているが,今回,従来の50W内部整合型GaN HEMT“MGFK47G3745A”と同一パッケージサイズのまま高利得,高出力化を実現した70W内部整合型GaN HEMT“MGFK48G3745”を新たに製品化した。ソースインダクタンスを低減するためにレイアウトを改良したGaN HEMTチップを採用することで,高利得化と高出力化を両立させ,14.125GHzで,飽和出力48.7dBm(74.1W),線形利得12dB,電力付加効率(Power Added Efficiency:PAE)35%の特性を得た。また,3次相互変調歪(ひず)みIM3(3rd order InterModulation Distortion)=-25dBcを満足する時の出力電力(線形出力)は,45dBmである。また,歪み特性改善のためにこの製品と既製品のリニアライザ内蔵の20W GaN MMIC“MGFG5H1503”をドライバ段として接続した状態では,47dBmの線形出力が得られた。この線形出力は,70W内部整合型GaN HEMT単体に比べ,約2dBの線形出力の改善を示した。送信用アンプの構成を従来のGaAs(ガリウムヒ素)FET(Field Effect Transistor)から,このKu帯GaN(窒化ガリウム)ラインアップに置き換えることで,最終段合成数低減,段数低減,ドライバ段と最終段の電源電圧共通化による送信用アンプの高出力,小型化に貢献する。(著者抄録)

シソーラス用語： *周波数帯 ,  *衛星通信 ,  *利得 ,  *出力 ,  *整合 ,  *HEMT ,  MMIC ,  レイアウト ,  電力付加効率 ,  変調歪 ,  電気変換器 ,  FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： *Ku帯 ,  *高利得 ,  *高出力 ,  *GaN HEMT ,  集積回路レイアウト ,  相互変調歪 ,  リニアライザ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  宇宙通信  (ND08040S)

引用文献 (2件)：

• Imai, S., et al.: A 2.6GHzBand 78W Doherty Power Amplifier with GaN HEMT Unit-Cell Structure Robust for Layout-Dependent Loop Oscillation, 2016 European Microwave Conference. Dig. 2016
• Kanaya, K., et al.: A Ku-band 20W GaN-MMIC Amplifier with Built-in Linearizer, 2014 IEEE MTT-S International Microwave Symposium. Dig. (2014)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ku帯 ,  衛星通信 ,  高利得 ,  高出力 ,  整合 ,  GaN ,  HEMT