文献

J-GLOBAL ID：201702265103033101   整理番号：17A0214370

ガンマ谷材料における接触抵抗率【Powered by NICT】

Contact resistivities in gamma-valley materials

著者 (1件)： Solomon P. M. (IBM, T.J. Watson Research. Center, Yorktown Heights, NY, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 36.6.1-36.6.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガンマ谷対称性を持つn型III-V半導体のような材料の接触抵抗率のモデルはSchottky障壁に及ぼす電子の非放物線性とスクリーニング効果を含む電流モデルを越えて開発した。これらは接触抵抗を上昇させ,負の障壁高さと界面速度整合を含む戦略はITRS目標に到達するには必要である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： スクリーニング ,  対称性 ,  電流 ,  半導体 ,  *接触抵抗 ,  Schottky障壁
準シソーラス用語： ITRS ,  障壁高さ ,  *比接触抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (2件)： 谷 ,  接触抵抗率