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J-GLOBAL ID：201702265269628013   整理番号：17A0402944

非晶質Ta_2O_5半導電層における表面プロフィルの勾配はナノスケール電流安定性を調節する【Powered by NICT】

Surface profile gradient in amorphous Ta₂O₅ semi conductive layers regulates nanoscale electric current stability

著者 (10件)： Cefalas A.C. (National Hellenic Research Foundation, Theoretical and Physical Chemistry Institute, 48 Vassileos Constantinou Avenue, Athens 11635, Greece) ,  Kollia Z. (National Hellenic Research Foundation, Theoretical and Physical Chemistry Institute, 48 Vassileos Constantinou Avenue, Athens 11635, Greece) ,  Spyropoulos-Antonakakis N. (National Hellenic Research Foundation, Theoretical and Physical Chemistry Institute, 48 Vassileos Constantinou Avenue, Athens 11635, Greece) ,  Gavriil V. (National Hellenic Research Foundation, Theoretical and Physical Chemistry Institute, 48 Vassileos Constantinou Avenue, Athens 11635, Greece) ,  Christofilos D. (Physics Division, School of Technology, Aristotle University of Thessaloniki, Thessaloniki 54124, Greece) ,  Kourouklis G. (Physics Division, School of Technology, Aristotle University of Thessaloniki, Thessaloniki 54124, Greece) ,  Semashko V.V. (Kazan Federal University, Institute of Physics, 18 Kremljovskaja str., Kazan 420008, Russia) ,  Pavlov V. (Kazan Federal University, Institute of Physics, 18 Kremljovskaja str., Kazan 420008, Russia) ,  Sarantopoulou E. (National Hellenic Research Foundation, Theoretical and Physical Chemistry Institute, 48 Vassileos Constantinou Avenue, Athens 11635, Greece) ,  Sarantopoulou E. (Kazan Federal University, Institute of Physics, 18 Kremljovskaja str., Kazan 420008, Russia)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 396  ページ： 1000-1019  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 形態学的特性と非晶質層の電気特性を,原子間,導電性,静電力及び熱走査顕微鏡を用いて確立した。非晶質Ta_2O_5(a Ta_2O_5)半導体層を用いて,表面プロフィル勾配(形態学的勾配),対話型Coulomb部位中に捕獲された電子の電子エネルギー勾配と導電性経路に沿った熱勾配の両方に高度に相関していることが見出され,このようにして熱及び電気特性をナノスケールでの表面形態と相関していた。さらに,電子の逆導電性経路に沿った形態学的および電子エネルギー勾配は本質的に電流安定性異方性を課した。長い導電性経路(L>1μm)のいずれかのために,対称ナノ分域に沿って,正と負の両方の電流Iの電流安定性を実証した。一方,非対称ナノドメインに沿って短い導電性経路のための,独立変数(L, i)のセットは,二電流安定性/intability遺伝子座により測定される。一つの遺伝子座は負電流のための安定状態を特定するが,他の遺伝子座はまた正の電流の安定状態について述べた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 温度勾配 ,  電気特性 ,  *電流 ,  導電性 ,  非対称性 ,  *非晶質 ,  動水勾配 ,  モルフォロジー ,  対称性 ,  ナノドメイン ,  表面形態 ,  静電気力 ,  *ナノスケール
準シソーラス用語： *半導電層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 非晶質半導体 ,  電流安定性 ,  Ta_2O_5の表面形態と電気的性質 ,  走査型熱顕微鏡法 ,  静電気力顕微鏡観察 ,  導電性原子間力顕微鏡法

分類 (4件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 非晶質 ,  半導電層 ,  プロフィル ,  勾配 ,  ナノスケール ,  安定性 ,  調節