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J-GLOBAL ID：201702265283008433   整理番号：17A0475068

X線近吸収端構造分光法により決定したF注入GeにおけるF_6V_2錯体の生成【Powered by NICT】

Formation of F₆V₂ complexes in F-implanted Ge determined by x-ray absorption near edge structure spectroscopy

著者 (6件)： Sanson A. (Department of Physics and Astronomy, University of Padova and CNR-IMM Matis, Padova, Italy) ,  El Mubarek H.A.W. (School of Electrical and Electronic Engineering, University of Manchester, Manchester, United Kingdom) ,  Gandy A.S. (Department of Materials Science and Engineering, University of Sheffield, Sheffield, United Kingdom) ,  De Salvador D. (Department of Physics and Astronomy, University of Padova and CNR-IMM Matis, Padova, Italy) ,  Napolitani E. (Department of Physics and Astronomy, University of Padova and CNR-IMM Matis, Padova, Italy) ,  Carnera A. (Department of Physics and Astronomy, University of Padova and CNR-IMM Matis, Padova, Italy)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 62  ページ： 205-208  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン注入とアニーリングによる結晶性ゲルマニウムへの弗素取込みの局所構造をX線吸収端近傍構造(XANES)分光法により研究した。異なるF_mV_n錯体のXANESスペクトルを,ab initio計算によりシミュレートし,実験スペクトルと比較した。本研究では,Ge中のFの大部分はF_6V_2錯体を形成し,近接したGe-Ge距離を長くすることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶度 ,  スペクトル ,  *錯体 ,  フッ素 ,  イオン注入 ,  *XANES ,  焼なまし ,  X線吸収端 ,  *ゲルマニウム
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  局所構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： フッ素注入ゲルマニウム ,  XANES ,  空格子点複合体

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： X線近吸収端構造 ,  分光法 ,  注入 ,  Ge ,  錯体