文献

J-GLOBAL ID：201702265363446442   整理番号：17A0204216

ZnO系薄膜トランジスタの性能に及ぼすBi(1.5)Zn(1.0)Nb(1.5)O_7ゲート絶縁体のアニーリング温度の影響【Powered by NICT】

Effect of annealing temperature of Bi_(1.5)Zn_(1.0)Nb_(1.5)O_7 gate insulator on performance of ZnO based thin film transistors

著者 (4件)： Ye Wei (Electronic Materials Research Laboratory, Xi’an Jiaotong University) ,  Ren Wei (Electronic Materials Research Laboratory, Xi’an Jiaotong University) ,  Shi Peng (Electronic Materials Research Laboratory, Xi’an Jiaotong University) ,  Jiang Zhuangde (Xi’an Jiaotong University)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 7  ページ： 074007-1-074007-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート絶縁体としてBi(1.5)Zn(1.0)Nb(1.5)O_7(BZN)薄膜を使ったボトムゲート構造ZnOベース薄膜トランジスタ(ZnO TFTs)は,無線周波数マグネトロンスパッタリングによるPt/SiO_2/Si基板上に作製した。BZN薄膜とZnO-TFTの性能に及ぼす300%,400%,500°Cでのアニーリング温度の影響を調べた。XRD測定は,BZN薄膜は事実上非晶質であることを確認した。400°CでアニールしたBZN薄膜は300°CでアニールしたZnO-TFTのそれよりも高い249nF/cm~2の高い静電容量密度,71の高い誘電率,及び低い漏れ電流密度400°CでアニールしたZnO-TFTのcm~2オン/オフ電流比と電界効果移動度は大きさと二倍の約一桁であり,それぞれ10 ( 7)を得る。アニーリング温度が400°Cの場合,ZnO-TFTの電気的性能は,大きく強化された。素子は470mV/decの低いサブスレショルドスイングと3.21×10(12)cm( 2)の表面状態密度を得た。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *薄膜 ,  白金 ,  *薄膜トランジスタ ,  静電容量 ,  誘電率 ,  マグネトロンスパッタリング ,  状態密度 ,  X線回折 ,  *酸化亜鉛 ,  *ゲート絶縁膜 ,  電界効果移動度 ,  シリコンウエハ ,  無線周波数 ,  *アニーリング温度
準シソーラス用語： 漏れ電流密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： パイロクロールBZN薄膜 ,  ZnO-TFT ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  アニーリング温度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ZnO ,  薄膜トランジスタ ,  Bi ,  Zn ,  Nb ,  ゲート絶縁体 ,  アニーリング温度