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J-GLOBAL ID：201702265369882773   整理番号：17A0697413

SiリッチとNリッチ窒化けい素薄膜からの可視光ルミネセンスの起源【Powered by NICT】

Origin of visible photoluminescence from Si-rich and N-rich silicon nitride films

著者 (10件)： Parkhomenko I. (Belarussian State University, Nezavisimosty Ave. 4, 220030, Minsk, Belarus) ,  Vlasukova L. (Belarussian State University, Nezavisimosty Ave. 4, 220030, Minsk, Belarus) ,  Komarov F. (A.N. Sevchenko Institute of Applied Physics Problems, Kurchatov Str. 7, 220045 Minsk, Belarus) ,  Milchanin O. (A.N. Sevchenko Institute of Applied Physics Problems, Kurchatov Str. 7, 220045 Minsk, Belarus) ,  Makhavikou M. (A.N. Sevchenko Institute of Applied Physics Problems, Kurchatov Str. 7, 220045 Minsk, Belarus) ,  Mudryi A. (Scientific and Practical Materials Research Center, National Academy of Sciences of Belarus, P. Brovki Str. 17, 220072 Minsk, Belarus) ,  Zhivulko V. (Scientific and Practical Materials Research Center, National Academy of Sciences of Belarus, P. Brovki Str. 17, 220072 Minsk, Belarus) ,  Zuk J. (Institute of Physics, Maria Curie-Sklodowska University, Lublin, Poland) ,  Kopycinski P. (Institute of Physics, Maria Curie-Sklodowska University, Lublin, Poland) ,  Murzalinov D. (L.N. Gumilyov Eurasian National University, Astana, Kazakhstan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 626  ページ： 70-75  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siリッチ(SiN_1 1)とN(SiN_1)窒化けい素膜をプラズマ増強化学蒸着によりSiウエハ上に成長させた。それらの組成と構造を,Rutherford後方散乱分光法と透過型電子顕微鏡により調べた。SiN_x発光特性に及ぼす組成と蒸着後アニーリング温度の影響を光ルミネセンスの検討により調べた。SiリッチとNリッチ窒化膜に対する集中的バンドは赤と青のスペクトル領域でそれぞれ検出された。アニールした窒化物膜の光ルミネセンスバンド変換はSiHとNH結合破壊と欠陥消滅の競合過程を介した増加のK系列N中心濃度に帰することができる。「x」増加,測定温度にFWHM依存性とSiN_x膜不均一構造を持つ光ルミネセンスバンドFWHM広がりに基づいて,SiN_1.1とSiN_1 5膜からの発光は化学的無秩序化に関連した欠陥とテイル状態のバンド間遷移に起因した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ルミネセンス ,  Rutherford散乱分光法 ,  *窒化 ,  *窒化ケイ素 ,  FWHM ,  透過型電子顕微鏡 ,  *光ルミネセンス ,  プラズマCVD ,  *可視光
準シソーラス用語： バンド間遷移 ,  窒化膜 ,  アニーリング温度 ,  発光特性 ,  シリコンウエハ ,  *シリコン薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： Siリッチ窒化けい素 ,  Nリッチ窒化けい素 ,  プラズマ増強化学蒸着 ,  熱アニーリング ,  光ルミネセンス ,  バンドテイル状態 ,  K中心 ,  N中心

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  窒化けい素 ,  薄膜 ,  光ルミネセンス ,  起源