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J-GLOBAL ID：201702265422955155   整理番号：17A0207332

カーボンナノチューブFETを用いた四元全加算器の設計と解析【Powered by NICT】

Design and analysis of carbon nanotube FET based quaternary full adders

著者 (4件)： Moaiyeri Mohammad Hossein (Faculty of Electrical Engineering, Shahid Beheshti University) ,  Sedighiani Shima (Nanotechnology and Quantum Computing Lab, Shahid Beheshti University) ,  Sharifi Fazel (Nanotechnology and Quantum Computing Lab, Shahid Beheshti University) ,  Navi Keivan (Nanotechnology and Quantum Computing Lab, Shahid Beheshti University)
資料名： Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering  (Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering)
巻： 17  号： 10  ページ： 1056-1066  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2285A  ISSN： 2095-9184  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOS二値論理は,短チャネル効果,電力密度,および相互接続制約により制限される。効果的な解決策は非シリコン多値論理(MVL)計算である。本研究では,カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ(CNTFET)に基づく二種類の高速四元全加算器セルを提案した。提案した設計は,カーボンナノチューブの直径を調整し,p型及びn型素子と同じ移動度を持つことにより,要求されるしきい値電圧を達成するようなCNTFETのユニークな特性を用いた。提案した回路は32nm Stanford包括的CNTFETモデルによるSynopsys HSPICEシミュレータを用いた種々の試験条件の下でシミュレートした。提案した設計は,現在の最先端四元全加算器と比較して平均32%低い遅延,68%の平均電力,83%エネルギー消費,および77%静的力を持っている。シミュレーション結果は,提案した設計は,プロセス,電圧および温度変化に対してロバストであり,雑音耐性があることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電力 ,  高速度 ,  二値論理 ,  温度変動 ,  相互接続 ,  エネルギー消費 ,  *カーボンナノチューブ ,  ロバスト性 ,  短チャネル効果 ,  雑音安定度 ,  多値論理 ,  CMOS
準シソーラス用語： HSPICE ,  閾値電圧 ,  *全加算器 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ナノエレクトロニクス ,  カーボンナノチューブFET ,  多値論理 ,  第四紀論理

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： カーボンナノチューブFET ,  全加算器 ,  設計 ,  解析