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J-GLOBAL ID:201702265463499769   整理番号:17A0702343

グラフェンにおける「突起」または「ホール」:どちらがナトリウムイオン貯蔵のためのより良い選択である【Powered by NICT】

“Protrusions” or “holes” in graphene: which is the better choice for sodium ion storage?
著者 (18件):
資料名:
巻: 10  号:ページ: 979-986  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2306A  ISSN: 1754-5692  CODEN: EESNBY  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ナトリウムイオン電池(SIB)アノードに関連する主要な課題は,高容量と優れた速度能力を持つ新しい候補材料の探索である。グラフェンベースアノード設計のための最も一般的に使用される効果的な方法は,窒素ドーピングによる面内「ホール」欠陥の導入であるこれはより多くのエネルギーを貯蔵するための広い貯水池を生成する山性質によりヒントを得て,ここでは,もう一つの方法 「ホール」の代わりにグラフェンのブリスタリングの導入を提案した。これは吸着/挿入よりNa~+イオンを容易にした。重要な問題:」グラフェン,ナトリウムイオン貯蔵のための良好な「突起」または「ホール」を適切に回答するために,同じようなドーピングレベルを有する二種類のアノード材料の設計:りんをドープしたグラフェン(GP,突起を有する)と窒素ドープグラフェン(GN,穴を持つ)であった。GNと比較して,GPアノードは,全ての目標の基準を完全に満たし,標準リチウムイオン電池(~372mAのhg~( 1))で最良のグラファイトアノードに匹敵する超高容量(25mA g~( 1)で120サイクル後に374mAhg g~( 1))を明らかにし,優れたレート能力(500mA g~( 1)で210mA hg~( 1))を示した。その場透過型電子顕微鏡(TEM)実験と密度汎関数理論(DFT)計算を用いて,SIBの「ホール」と比較して「突起」の強化された電気化学的活性の起源を明らかにし,原子スケールまでした。グラフェンへのPドーピングを介して突起の導入は,SIBの容量と速度性能を向上させるために新しい効果的な方法であると予想される。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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二次電池 
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