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J-GLOBAL ID：201702265540499738   整理番号：17A0162488

低圧水ジェット支援レーザエッチングによる多結晶シリコンプロセスパラメータの最適化【JST・京大機械翻訳】

Optimization of Process Parameters of Low-Pressure Water-Jet Assisted Laser Etching Crystalline Silicon

著者 (5件)： Chen Xuehui (School of Mechanical Engineering,Nanjing University of Technology and Engineering) ,  Zhang Xiangyan (School of Mechanical Engineering,Nanjing University of Technology and Engineering) ,  Zhang Chongtian (School of Mechanical and Electrical Engineering,Anhui Jianzhu University) ,  Yuan Genfu (School of Mechanical and Electrical Engineering,Anhui Jianzhu University) ,  Zhang Cheng (School of Mechanical and Electrical Engineering,Anhui Jianzhu University)
資料名： Jixie Gongcheng Cailiao  (Jixie Gongcheng Cailiao)
巻： 40  号： 10  ページ： 30-33,69  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2051A  ISSN： 1000-3738  CODEN： JGCAEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 低電圧ジェット支援レーザエッチング技術を用いて多結晶シリコンのエッチング加工を行い、直交実験により、レーザーパルス幅、周波数、入力電流と水ジェット速度が加工表面品質に与える影響を分析し、最終的に最適化プロセスパラメータを得た。結果は以下を示す。最適化パラメータは,24M S(-1)の低い噴流速度,1.1MSのパルス幅,40HZの周波数,および180Aの電流,および1.2MM,2.63ΜMおよび1.88MMであった。体の表面品質は比較的良く、エッジは亀裂がなく、スラグ、,などの欠陥がない。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 表面性状 ,  *最適化 ,  スラグ ,  レーザパルス ,  パルス幅 ,  周波数 ,  *ポリシリコン ,  電流 ,  *エッチング ,  *プロセスパラメータ ,  直交性 ,  *低圧
準シソーラス用語： 入力電流 ,  低電圧 ,  *レーザエッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： low-pressure water-jet assisted laser processing ,  etching processing ,  crystalline silicon ,  optimization of process parameter

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  非破壊試験  (HB02030F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低圧 ,  水ジェット ,  支援 ,  レーザエッチング ,  多結晶シリコン ,  プロセスパラメータ ,  最適化