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J-GLOBAL ID：201702265556441153   整理番号：17A0697412

水素化物気相エピタクシーによるナノピラー/パターンSiO_2上に成長させたAlNの構造的および光学的性質【Powered by NICT】

Structural and optical properties of AlN grown on nanopillar/patterned SiO₂ by hydride vapor phase epitaxy

著者 (6件)： Son Hoki (Korea Institute of Ceramic Engineering & Technology, 15-5, Chungmugong-dong, Jinju-si, Gyeongsangnam-do 52851, Republic of Korea) ,  Lee YoungJin (Korea Institute of Ceramic Engineering & Technology, 15-5, Chungmugong-dong, Jinju-si, Gyeongsangnam-do 52851, Republic of Korea) ,  Kim Jin-Ho (Korea Institute of Ceramic Engineering & Technology, 15-5, Chungmugong-dong, Jinju-si, Gyeongsangnam-do 52851, Republic of Korea) ,  Hwang Jonghee (Korea Institute of Ceramic Engineering & Technology, 15-5, Chungmugong-dong, Jinju-si, Gyeongsangnam-do 52851, Republic of Korea) ,  Kim Seung Hwan (Metamaterial Electronic Device Research Center, Hongik University, Seoul 121-791, Republic of Korea) ,  Jeon Dae-Woo (Korea Institute of Ceramic Engineering & Technology, 15-5, Chungmugong-dong, Jinju-si, Gyeongsangnam-do 52851, Republic of Korea)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 626  ページ： 66-69  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水平水素化物気相エピタクシー(HVPE)を用いてパターン化したSiO_2層を有するAlNナノピラー構造上の高品質AlN層の成長を実証した。パターン化SiO_2によるAlNナノピラー構造の使用は,AlN層の結晶性,全体的な材料特性の改善をもたらした。ナノピラー構造を有するAlN層の(002)および(102)反射に対応するピークの半値全幅(FWHM)は有意に386と576arcsecから265と318arcsecに減少し,それぞれ成長したAlN層のそれと比較した。横方向被覆成長AlN領域は転位のブロッキングおよび転位曲げ効果のために用いたテンプレートのそれよりも低い転位密度を示す連続的に坑井の合体層から成っていた。光ルミネセンスとRaman分光,透過率による相補的な特性化は,ナノピラー構造上に成長させたAlN層の全体的に良好な材料特性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 転位密度 ,  パターン形成 ,  透過率 ,  キャラクタリゼーション ,  FWHM ,  *窒化アルミニウム ,  光ルミネセンス ,  *光学的性質 ,  Raman分光法 ,  結晶度
準シソーラス用語： 横方向成長 ,  材料特性 ,  高品質 ,  *ナノピラー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 窒化アルミニウム ,  Nanostructures ,  水平水素化物気相エピタクシー ,  屈折率

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素化物気相エピタクシー ,  ナノピラー ,  成長 ,  AlN ,  光学的性質