文献

J-GLOBAL ID：201702265660516054   整理番号：17A0769846

カーボンナノチューブに基づくCMOS論理回路のシミュレーションと最適化【JST・京大機械翻訳】

Modeling and Optimizing of Carbon Nanotube Based CMOS Logic Circuit

著者 (4件)： WANG Hao (Department of Electronics,School of Electronics Engineering and Computer Science,Peking University) ,  ZHANG Zhiyong (Department of Electronics,School of Electronics Engineering and Computer Science,Peking University) ,  WANG Sheng (Department of Electronics,School of Electronics Engineering and Computer Science,Peking University) ,  CHEN Qing (Department of Electronics,School of Electronics Engineering and Computer Science,Peking University)
資料名： Beijing Daxue Xuebao. Zirankexueban  (Beijing Daxue Xuebao. Zirankexueban)
巻： 45  号： 3  ページ： 415-420  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2592A  ISSN： 0479-8023  CODEN： PCTHAP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ルックアップテーブルモデルに基づき、SPICE(SIMULATION PROGRAM WITH INTEGRATED CIRUIT 強調)回路シミュレーションソフトを利用した。相補的カーボンナノチューブ(CNT)の電界効果トランジスタの構成をシミュレーションし,シミュレーション結果は実験結果と一致し,カーボンナノチューブ電界効果トランジスタの実際の測定データと半経験的ルックアップテーブルモデルの結合を実現した。直流電圧特性解析と過渡特性解析を用いて,動作電圧とデバイスの閾値電圧との関係を研究し,回路の設計と作動状態を最適化するための最適化方式を提案した。NANDとNORをさらにシミュレーションし,回路の最適化スキームを提案した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 回路シミュレーション ,  直流電圧 ,  *カーボンナノチューブ ,  FET【トランジスタ】 ,  性能分析 ,  *シミュレーション ,  過渡応答 ,  *最適化
準シソーラス用語： NAND ,  閾値電圧 ,  動作電圧 ,  CNTFET ,  *CMOS論理回路 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： carbon nanotube ,  field effect transistor ,  table-lookup model ,  inverter ,  DC characteristics ,  TRAN characteristics

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： カーボンナノチューブ ,  CMOS論理回路 ,  シミュレーション ,  最適化