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J-GLOBAL ID：201702265665072908   整理番号：17A0766113

AlGaN/GaNヘテロ構造の電気的性質に及ぼすGaN層中の転位の影響【Powered by NICT】

Influence of dislocations in the GaN layer on the electrical properties of an AlGaN/GaN heterostructure

著者 (5件)： Gao Zhi-Yuan (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Hao Yue (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zhang Jin-Cheng (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Li Pei-Xian (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Gu Wen-Ping (School of Microelectronics, Xidian University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 18  号： 11  ページ： 4970-4975  発行年： 2009年11月 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,AlGaN/GaNヘテロ構造の電気的,光学的,および構造的性質の空間分布の比較研究について報告した。ヘテロ構造のシート抵抗が増加するGaNテンプレート層における刃状転位密度はウエハの領域では減少することが示され,GaN光ルミネセンスバンド端エネルギーピークは高波長側にシフトした。この現象は局所的な圧縮歪周辺刃状転位,A1GaN層における圧電分極場と反対方向にGaN層中の局所圧電分極場を生成し,これにより二dimeusional電子ガス濃度を増加させるのに役立つであろうに起因するものであることが分かった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 波長 ,  *窒化ガリウム ,  刃状転位 ,  構造特性 ,  二次元電子ガス ,  光ルミネセンス ,  圧電気 ,  空間分布 ,  *電気的性質 ,  分極 ,  シート抵抗
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  バンド端 ,  *ヘテロ構造 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaN ,  刃状転位 ,  圧電分極 ,  2次元電子ガス

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電気的性質 ,  転位