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J-GLOBAL ID:201702265863204471   整理番号:17A0741364

焼なまし温度の関数としてのカーボンナノウォールの特性化

Characterization of Carbon Nano Wall as a Function of Annealing Temperature
著者 (7件):
資料名:
巻: 16  号: 11  ページ: 11477-11479  発行年: 2016年11月 
JST資料番号: W1351A  ISSN: 1533-4880  CODEN: JNNOAR  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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焼なまし温度がカーボンナノウォール(CNW)の性質に及ぼす影響を調べた。反応気体にCH4と水素を用いて,p型Si(100)基板上にCNWをMPECVDにより堆積させた。堆積させたCNWを真空中600~900°Cで高速熱アニーリング(RTA)により5分間焼なました。CNWの構造をX線回折と走査電子顕微鏡(SEM)により調べた。表面はRTA温度に極めて敏感で,温度が600°Cから900°Cへ上昇すると,膜の結晶化率も上昇した。CNWの結晶粒径は焼なまし温度の上昇と共に増大した。焼なまし温度を高めると,CNWの性質が改善した。
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分類 (1件):
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半導体の結晶成長 
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