エピタクシーによる高異方性半導体GaTeナノ材料及び新たな特性可能の合成【Powered by NICT】

Cai Hui; Chen Bin; Wang Gang; Soignard Emmanuel; Khosravi Afsaneh; Manca Marco; Marie Xavier; Chang Shery L. Y.; Urbaszek Bernhard; Tongay Sefaattin

文献

J-GLOBAL ID：201702265958020114 整理番号：17A0749545

エピタクシーによる高異方性半導体GaTeナノ材料及び新たな特性可能の合成【Powered by NICT】

Synthesis of Highly Anisotropic Semiconducting GaTe Nanomaterials and Emerging Properties Enabled by Epitaxy

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Cai Hui

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Advanced Materials (Advanced Materials)

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巻： 29 号： 8 ページ： ROMBUNNO.201605551 発行年： 2017年
JST資料番号： W0001A ISSN： 0935-9648 CODEN： ADVMEW 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

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層状擬1D材料の新しい家族単斜晶系テルル化ガリウム(GaTe)を種々の基板上に物理気相輸送により合成した。[010]原子鎖とその結果の異方性挙動を明確に明らかにした。GaTeフレークは禁止帯,選択した端部と結晶粒界周辺に局在した欠陥に関連した複数の鋭い光ルミネセンス発光を示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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