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J-GLOBAL ID：201702266157669449   整理番号：17A0064739

遷移金属錯体に基づく抵抗貯蔵材料【JST・京大機械翻訳】

Resistive Memory Materials Based on Transition-Metal Complexes

著者 (3件)： Cui Binbin (CAS Key Laboratory of Photochemistry, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences) ,  Tang Jianhong (CAS Key Laboratory of Photochemistry, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhong Yuwu (CAS Key Laboratory of Photochemistry, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Huaxue Xuebao  (Huaxue Xuebao)
巻： 74  号： 9  ページ： 726-733  発行年： 2016年 
JST資料番号： H0391B  ISSN： 0567-7351  CODEN： HHHPA4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 阻変型電着は外部電場の作用下で貯蔵媒体の導電性の高低差異に依存し、即ち、定常状態あるいは多定常状態でデータアクセスを実現し、高容量、高柔軟性、低コスト、低エネルギー消費、大規模化などのメリットがあり、次世代高密度記憶技術に新たな見通しを提供する。無機酸化物、炭素ナノ材料、有機小分子及び有機高分子半導体材料以外に、近年、遷移金属錯体の電気化学的貯蔵における応用も注目されている。本論文では、今までに報告された遷移金属錯体に基づく抵抗の貯蔵材料について総括と討論を行った。第VIII族金属[FE(II),RU(II),CO(III),RH(III),IR(III),PT(II)などの錯体],第IB族およびIIB族金属[CU(II),AU(III),ZN(II)],およびランタニド遷移金属錯体[EU(III)およびその他]を含む。種々の錯体の貯蔵挙動と記憶機構について議論した。遷移金属錯体は明確な可逆的酸化還元過程を有し、配位子の構造と金属の種類を変えることによって、材料のフロンティア軌道エネルギー準位とエネルギーギャップを容易に調節でき、二相または二準位の貯蔵を実現することができるため、潜在的な応用価値がある。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 酸化還元反応 ,  記憶媒体 ,  高分子半導体 ,  柔軟性 ,  *遷移金属錯体 ,  フロンティア軌道 ,  導電性 ,  電気化学 ,  電着 ,  *錯体 ,  エネルギーギャップ ,  小分子
準シソーラス用語： カーボンナノ材料 ,  定常状態 ,  外部電場 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： resistive memory ,  information storage ,  transition-metal complexes ,  optoelectronic devices ,  optoelectronic materials

分類 (1件)： 白金族元素の錯体  (CE01100E)

タイトルに関連する用語 (2件)： 遷移金属錯体 ,  貯蔵