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J-GLOBAL ID：201702266304870521   整理番号：17A0754680

緩衝くえんacid/H_2O_2溶液中のAlAsエッチ停止層上に成長させたGaAsの選択的エッチング【Powered by NICT】

Selective etching of GaAs grown over AlAs etch-stop layer in buffered citric acid/H₂O₂ solution

著者 (4件)： Kuzmicz A. (Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland) ,  Chmielewski K. (Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland) ,  Serebrennikova O. (Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland) ,  Muszalski J. (Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 63  ページ： 52-57  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： くえん酸と過酸化水素非緩衝を用い,クエン酸カリウムでバッファしたAlAsエッチストップ層上のGaAs層の選択的エッチングを注意深く調べた。化学攻撃に対するAlAsエッチストップ層の抵抗率は層厚使用選択性に基づいた標準記述をに強く依存することを示した。撹はんの影響を考慮し,エッチングプロセスの拡散/反応速度制限だけでなく,エッチ停止層の組成を分析することにより,著者らはAlAsエッチストップ層/エッチング溶液界面で起こる化学過程の新しい記述を提案した。もGaAs基板上に成長させた電子および光電子デバイスの精密製作のためのエッチ停止層設計の最良の方法を提案した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 溶液界面 ,  過酸化水素 ,  選択性 ,  *ヒ化アルミニウム ,  化学プロセス ,  撹拌 ,  *エッチング ,  電気抵抗率 ,  反応速度 ,  *ヒ化ガリウム ,  層厚 ,  脂肪族アルコール ,  脂肪族カルボン酸 ,  カルボン酸塩 ,  ヒドロキシ酸 ,  ポリカルボン酸
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  GaAs基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 選択ウエットエッチング ,  エッチストップ層 ,  AlAs ,  GaAs

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

物質索引 (1件)： クエン酸カリウム

タイトルに関連する用語 (8件)： 緩衝 ,  溶液 ,  AlAs ,  エッチ ,  停止層 ,  成長 ,  GaAs ,  エッチング