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J-GLOBAL ID：201702266332881467   整理番号：17A0809448

ディープサブミクロンミクロン全SOI BJMOSFETの二次元電流モデル【JST・京大機械翻訳】

2-D Current Model of Fully Depleted SOI BJMOSFET

著者 (3件)： ZHANG Yan (Nanyang Institute of Technology) ,  GAO Youtang (Nanyang Institute of Technology) ,  ZENG Yun (Hunan University)
資料名： Weidianzixue  (Weidianzixue)
巻： 39  号： 5  ページ： 684-688  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2386A  ISSN： 1004-3365  CODEN： WEIDFK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： SOI BJMOSFET素子の二次元電流モデルを確立した。HSPICEソフトウェアを用いて,電流電圧特性曲線をシミュレーションした。同じ条件下での全SOI MOSFETと比較して,この新しいSOI素子は,より大きな電流出力を持ち,優れた直流性能を持つ新しいSOIデバイスである。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *二次元 ,  電流電圧特性 ,  *電流 ,  *MOSFET ,  ソフトウェア ,  直流
準シソーラス用語： HSPICE , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Deep submicron ,  Fully depletion ,  SOI ,  BJMOSFET ,  2-D current model

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： SOI ,  モデル