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J-GLOBAL ID：201702266376372943   整理番号：17A0446027

W~6+をドープしたSrBi_4Ti_4O_15セラミックにおける可能な緩和と伝導機構【Powered by NICT】

Possible relaxation and conduction mechanism in W⁶⁺doped SrBi₄Ti₄O₁₅ ceramic

著者 (4件)： Nayak P. (Department of Physics and Astronomy, National Institute of Technology, Rourkela, Odisha 769008, India) ,  Badapanda T. (Department of Physics, C.V. Raman College of Engineering, Bhubaneswar, Odisha 752054, India) ,  Singh A.K. (Department of Physics and Astronomy, National Institute of Technology, Rourkela, Odisha 769008, India) ,  Panigrahi S. (Department of Physics and Astronomy, National Institute of Technology, Rourkela, Odisha 769008, India)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 5  ページ： 4527-4535  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一般式[SrBi_4 2x/3Ti_4 xW_xO_15(x=0.00,0.02,0.04,0.06,0.08,0.1)]タングステン(W)をドープしたストロンチウムビスマスチタン酸塩セラミックを固相反応法により調製した。X線回折分析は,すべての調製した試料のための斜方晶系構造の単相系を確認した。緩和と伝導機構は,インピーダンス分光分析を用いて調べた。全ての試料の温度と一致して高周波数側にZ」_maxとM」_maxピークのシフトしたArrhenius則に従うことを見出し,材料における緩和過程の存在を示した。複素インピーダンスプロットは,粒と結晶粒界の両方が伝導機構の原因であり,すべての組成でNTCR挙動を示す温度とともに減少する結晶粒および粒界抵抗であることを示した。周波数依存性ac伝導率の速度論的解析は,ポーラロン機構の観点から考察し,dc伝導率は熱活性化過程を示した。電荷キャリアホッピングと二重イオン化酸素空格子点(V_o)はシステムの伝導機構の主な原因であることを観察した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線回折分析 ,  ホッピング伝導 ,  結晶粒界 ,  斜方晶系 ,  チタン酸塩 ,  結晶粒 ,  *ドーピング ,  ポーラロン ,  固相反応 ,  周波数依存性 ,  インピーダンス
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  伝導率 ,  複素インピーダンス ,  *伝導機構 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： インピーダンス ,  モジュラス分光法 ,  交流伝導率 ,  活性化エネルギー

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  セラミック ,  緩和 ,  伝導