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J-GLOBAL ID：201702266472840086   整理番号：17A0345620

単層MOS_2のバンド構造と光吸収特性に及ぼすSEドーピングの影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Effect of Se Doping on the Electronic Band Structure and Optical Absorption Properties of Single Layer MoS_2

著者 (7件)： Li Gang (MicroNano System Research Center, Key Lab of Advanced Transducers and Intelligent Control System (Ministry of Education) & College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology) ,  Chen Minqiang (MicroNano System Research Center, Key Lab of Advanced Transducers and Intelligent Control System (Ministry of Education) & College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology) ,  Zhao Shixiong (MicroNano System Research Center, Key Lab of Advanced Transducers and Intelligent Control System (Ministry of Education) & College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology) ,  Li Pengwei (MicroNano System Research Center, Key Lab of Advanced Transducers and Intelligent Control System (Ministry of Education) & College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology) ,  Hu Jie (MicroNano System Research Center, Key Lab of Advanced Transducers and Intelligent Control System (Ministry of Education) & College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology) ,  Sang Shengbo (MicroNano System Research Center, Key Lab of Advanced Transducers and Intelligent Control System (Ministry of Education) & College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology) ,  Hou Jingjing (MicroNano System Research Center, Key Lab of Advanced Transducers and Intelligent Control System (Ministry of Education) & College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology)
資料名： Wuli Huaxue Xuebao  (Wuli Huaxue Xuebao)
巻： 32  号： 12  ページ： 2905-2912  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0391A  ISSN： 1000-6818  CODEN： WHXUEU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論に基づく第一原理法を用いて,SEドープ単層MOS_2のバンド構造と光起電特性を計算し,それらの光分解特性に及ぼす影響を解析した。結果は以下を示す。この単層MOS2は直接バンドギャップ構造であり、バンドギャップ幅は1.7400EV、伝導帯底電位はH+/H_2還元ポテンシャルの上で0.430EV、バンドポテンシャルはO_2/H_2Oの酸化ポテンシャルの下で0.080EVであり、可視光触媒分解水の能力がある。しかし、酸化と還元能力は不均一であり、単層MOS_2は光触媒として水を分解する効率が高くない。SEドーピングの計算により、単層MOS_2のバンドギャップ幅は1.727EVになり、対応する光吸収幅の変化幅はほとんど変わらず、しかも体系の形成エネルギーは低く、その熱力学安定性は良好であることが分かった。しかし,H_2/H_2Oの還元ポテンシャルはにEVであり,バンドポテンシャルはO_2/H_2Oの酸化ポテンシャルの下で0.244EVであり,酸化と還元能力をバランスさせ,単一層MOS2の可視光触媒分解効率を向上させた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 熱力学的安定度 ,  第一原理 ,  還元性 ,  バンドギャップ ,  ポテンシャル ,  *ドーピング ,  光触媒 ,  伝導バンド ,  *光吸収 ,  可視光 ,  密度汎関数法 ,  接触分解 ,  *単一層
準シソーラス用語： 形成エネルギー ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Single layer MoS_2 ,  Doping ,  Photocatalytic splitting of water ,  First principles

分類 (4件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  精製プロセス  (YF02050E) ,  その他の触媒  (CB06123Z) ,  硫黄とその化合物  (YB02020L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単層 ,  バンド構造 ,  光吸収特性 ,  Se ,  ドーピング ,  研究