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J-GLOBAL ID：201702266559589524   整理番号：17A0203808

Asヘテロ接合トンネル電界効果トランジスタ円筒サラウンディングゲートGaAs_xSb(1 x)/In_yGa(1 y)の特性【Powered by NICT】

Characteristics of cylindrical surrounding-gate GaAs_xSb_(1-x)/In_yGa_(1-y)As heterojunction tunneling field-effect transistors

著者 (5件)： Guan Yunhe (Department of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University) ,  Li Zunchao (Department of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University) ,  Luo Dongxu (Department of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University) ,  Meng Qingzhi (Department of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University) ,  Zhang Yefei (Department of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 10  ページ： 108502-1-108502-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-Vヘテロ接合トンネル電界効果トランジスタ(TFET)は,オン状態電流を効果的に高めることができ,GaAs_xSb(1 x)/In_yGa(1 y)Asヘテロ接合は合金組成を調節することにより調整可能なバンドアラインメントを持つ優れた性能を示した。本論文では,円筒状サラウンディングゲートGaAs_xSb(1 x)/In_yGa(1 y)ゲート-ドレインアンダーラップを有するヘテロ接合TFETの性能を数値シミュレーションによって調べた。ドレインのドーピング濃度を減少させ,ゲート-ドレインアンダーラップを増加オフ状態電流及びサブしきい値スイング(SS)を低減する効果的な方法であることを確認し,一方,ソースドーピング濃度を増加させ,GaAs_xSb(1 x)/In_yGa(1 y)の組成を調整することとしては,オン状態電流を改善することができる。さらに,GaAs_xSb(1 x)/In_yGa(1 y)Asに基づく共鳴TFETも研究し,結果は,SSの最小と平均は五年間ドレイン電流の11mVと20mV/decadeであり,従来のTFETよりはるかに優れていることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 共鳴 ,  電流 ,  *円筒 ,  *ヘテロ接合
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  サブ閾値 ,  オフ状態 ,  数値シミュレーション ,  バンドアライメント ,  合金組成 ,  オン状態 ,  *サラウンディングゲート ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： トンネル電界効果トランジスタ ,  サラウンディングゲート ,  サブしきい値スイング ,  共鳴トンネリング

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ヘテロ接合 ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  サラウンディングゲート