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J-GLOBAL ID：201702266722021540   整理番号：17A0361468

金-インジウム触媒を用いたシリコン上のInPナノワイヤの核形成と成長の研究【Powered by NICT】

Study of the nucleation and growth of InP nanowires on silicon with gold-indium catalyst

著者 (7件)： Mavel Amaury (Universite de Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL)-UMR5270-CNRS, INSA-Lyon, 7 avenue Jean Capelle, 69621, Villeurbanne, France) ,  Mavel Amaury (Universite de Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL)-UMR5270-CNRS, Ecole Centrale de Lyon, 36 avenue Guy de Collongue, 69134, Ecully, France) ,  Chauvin Nicolas (Universite de Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL)-UMR5270-CNRS, INSA-Lyon, 7 avenue Jean Capelle, 69621, Villeurbanne, France) ,  Regreny Philippe (Universite de Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL)-UMR5270-CNRS, Ecole Centrale de Lyon, 36 avenue Guy de Collongue, 69134, Ecully, France) ,  Patriarche Gilles (Laboratoire de Photonique et Nanostructure (LPN), CNRS, Universite Paris-Saclay, Route de Nozay, F-91460, Marcoussis, France) ,  Masenelli Bruno (Universite de Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL)-UMR5270-CNRS, INSA-Lyon, 7 avenue Jean Capelle, 69621, Villeurbanne, France) ,  Gendry Michel (Universite de Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL)-UMR5270-CNRS, Ecole Centrale de Lyon, 36 avenue Guy de Collongue, 69134, Ecully, France)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 458  ページ： 96-102  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 核形成と触媒として金-インジウム液滴と蒸気-液体-固体法を用いた分子ビームエピタクシーによるSi(111)上に成長させたInPナノワイヤ(NW)の構造と光学的性質を触媒液滴の形成とNW成長時間の温度の関数として調べた。は温度に依存して金-インジウム触媒液滴の複雑な挙動を明らかにした。InPピラミッド状ペデスタルはNW成長に先立って形成されたよりも示した。触媒液滴の形成の温度が550°C以下の時,ほとんどのみ垂直に自立した純粋なウルツ鉱型InP NWはSi(111)上に成長させた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *触媒 ,  *リン化インジウム ,  液滴 ,  角錐 ,  *ナノワイヤ ,  MBE成長 ,  *核形成 ,  光学的性質
準シソーラス用語： ウルツ鉱 ,  *インジウム触媒 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A1核形成 ,  A1光学的性質 ,  A1ウルツ鉱型材料 ,  B1InPナノワイヤ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 金 ,  インジウム触媒 ,  シリコン ,  InP ,  ナノワイヤ ,  核形成 ,  成長 ,  研究