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J-GLOBAL ID:201702266740613144   整理番号:17A0705902

ドーピング2次元材料:超高感度センサ,バンドギャップ同調と強磁性単分子層【Powered by NICT】

Doping two-dimensional materials: ultra-sensitive sensors, band gap tuning and ferromagnetic monolayers
著者 (5件):
資料名:
巻:号:ページ: 72-80  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2469A  ISSN: 2055-6764  CODEN: NHAOAW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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2004における黒鉛からのグラフェンの成功した単離は層状物質からの二次元(2D)系を研究するための新しい道を開いた。それ以来,グラフェン,六方晶BN(h BN),遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)と黒リンを含む2D材料に関する研究が広範囲に実施されている,オプトエレクトロニクス,生物医学,スピントロニクス,電気化学,エネルギー貯蔵と触媒作用の分野における様々な応用の可能性をもたらした。しかし,実際の応用,グラフェンの欠如バンドギャップのような,半導体エレクトロニクスにおけるその使用を制限する場合障壁はまだ克服する必要がある。これに関連して,可能な解決策は,欠陥や元素ドーピングを導入することによる2次元材料の電子的および光学的性質を調整することである。欠陥は材料特性を修正することにおいて主要な役割を果たしているが,「欠陥」と呼ぶという事実は,負の影響を与える可能性がある。は構造的に完全な材料である特性を改質するために同様に関連するかどうかにと応用のための長い議論されている。この焦点では,欠陥の特別に大きな量は材料特性に有害であるが,良く設計された欠陥は,前例のない特性と元の材料にはない興味深い応用につながる可能性があることを明らかにした。ドープした2次元層状材料の研究の歴史は浅く,著者らの目的は,基本的な疑問に答えると明らかにする:なぜはナノ材料ドーピングはドーピングこの線に沿った現在の挑戦は何から生じる新しい応用と改良された物理化学的性質を提供するCopyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (3件):
分類
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トランジスタ  ,  半導体結晶の電気伝導  ,  半導体のルミネセンス 

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