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J-GLOBAL ID：201702266805697646   整理番号：17A0850820

外部電場によるPbI_2とBN van der Waals heterobilayerにおける界面電子特性の調節【Powered by NICT】

Modulation of interfacial electronic properties in PbI₂ and BN van der Waals heterobilayer via external electric field

著者 (11件)： Ma Yaqiang (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang 453007, China) ,  Zhao Xu (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang 453007, China) ,  Niu Mengmeng (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang 453007, China) ,  Dai Xianqi (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang 453007, China) ,  Dai Xianqi (School of Physics and Electronic Engineering, Zhengzhou Normal University, Zhengzhou, Henan 450044, China) ,  Li Wei (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang 453007, China) ,  Wang Xiaolong (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang 453007, China) ,  Wang Xiaolong (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communication, Beijing University Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China) ,  Zhao Mingyu (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang 453007, China) ,  Wang Tianxing (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang 453007, China) ,  Tang Yanan (School of Physics and Electronic Engineering, Zhengzhou Normal University, Zhengzhou, Henan 450044, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 411  ページ： 46-52  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PbI_2とBN van der Waals(vdW)異種二層の界面電子特性を密度汎関数理論(DFT)法を用いて調べた。広いバンドギャップを持つ固有のII型ヘテロ構造を実証した。最低エネルギー電子-正孔対の空間分離が現実であり,オプトエレクトロニクス及び太陽電池への応用のための良好な候補としてPbI_2/BNヘテロ構造を作ることができる。E_fieldのシミュレーションは,その電子的性質を修飾するために実現した。バンドアライメントは,II型から変換する順方向電圧で分離されたI型ヘテロ構造への約0.07Åの値を有していた。異なるE_field感知特性を意味する三領域はバンドギャップE_fieldの変化から得た。E_fieldと電荷再分布は主にPbI_2とBN層の表面と同様に電子E_fieldの強さに依存する量。さらに,PbI_2/BN異種二層は,より優れた光学伝導率能力を示した。著者らの結果は,センサに新しい展望を与えるものであるとPbI_2/BN vdWヘテロ構造に基づく新しいナノ-オプトエレクトロニクスの設計に光を当てることができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 密度汎関数法 ,  センサ ,  電圧 ,  バンドギャップ ,  *電場 ,  オプトエレクトロニクス ,  *界面 ,  太陽電池 ,  正孔
準シソーラス用語： 光学伝導率 ,  電荷再分布 ,  バンドアライメント ,  ヘテロ構造 ,  二層 ,  *外部電場 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： PbI_2/BN ,  ヘテロ構造 ,  電場 ,  バンドギャップ ,  電荷移動

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 外部電場 ,  BN ,  VAN ,  界面 ,  電子 ,  調節