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J-GLOBAL ID:201702266983374373   整理番号:17A0206752

高分子光導波路回路を用いた断面カスケードAWGベース波長選択スイッチング集積モジュール【Powered by NICT】

Cross-cascaded AWG-based wavelength selective switching integrated module using polymer optical waveguide circuits
著者 (2件):
資料名:
巻:号:ページ: 428-435  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2831A  ISSN: 2095-2759  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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Mach-Zehnder干渉計(MZI)熱光学(TO)可変光減衰器(VOA)アレイと光実時間遅延(TTD)線アレイを用いた100GHz断面カスケードアレイ導波路格子(AWG)をベースにした波長選択光スイッチング光クロスコネクト(OXC)モジュールは高分子フォトニック光波回路を用いて設計し,作製することに成功した。高フッ素化感光性高分子と修飾グラフト化有機-無機ハイブリッド材料を導波路コアと被覆層として合成した。ワンチップ伝送損失は約6dBであり,クロストークは横磁場(TM)モードのための30dB以下であった。異なる熱光学スイッチの実際の最大変調深さは類似しており,~1.9Vのバイアスと15.5dBであった。単一スイッチの最大電力消費は10mW以下である。遅延時間塩基性増加は140から20psまで測定した。提案された新規モジュールは高密度波長分割多重ネットワークのための柔軟でスケーラブルである。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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