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J-GLOBAL ID：201702266987374973   整理番号：17A0206051

ZnOに基づくメムリスタの抵抗スイッチング特性に及ぼすキャリア濃度の影響【Powered by NICT】

Influence of carrier concentration on the resistive switching characteristics of a ZnO-based memristor

著者 (6件)： Sun Yihui (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing) ,  Yan Xiaoqin (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing) ,  Zheng Xin (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing) ,  Liu Yichong (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing) ,  Shen Yanwei (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing) ,  Zhang Yue (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing)
資料名： Nami Yanjiu  (Nami Yanjiu)
巻： 9  号： 4  ページ： 1116-1124  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2652A  ISSN： 1998-0124  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サンドイッチスタイルメモリスタデバイスは,AlドープZnO(AZO)とAu電極間の活性層としてZnO膜を用いた電気化学的蒸着により合成した。ZnO膜のキャリア濃度は成長過程でHNO_3を添加することにより制御される。10(17)~10(19)cm( 3)からのキャリア濃度の増加が観察され,オン-オフ比における対応する降下6,437%~100%であった。抵抗スイッチング特性は完全にキャリア濃度は上記の10(19)cm( 3)消失した,メモリ素子には不適であった。減少スイッチング比は酸素空孔ドリフトの駆動力の減少に起因している。酸素空孔のマイグレーションの系統的解析を提示した,濃度勾配と電位勾配を含む。そのような酸素空格子点移動動力学は酸素空孔ドリフトの機構への洞察を提供し,メモリスタデバイスの工業的生産のための価値ある情報を提供する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *スイッチング ,  濃度勾配 ,  化学蒸着 ,  ドリフト ,  成長段階 ,  *キャリア密度 ,  工業生産 ,  記憶素子 ,  *酸化亜鉛 ,  駆動力 ,  活性層 ,  *スイッチ
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  *抵抗スイッチング ,  *メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 抵抗スイッチ ,  キャリア濃度 ,  駆動力 ,  ポテンシャル勾配 ,  濃度勾配

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ZnO ,  メムリスタ ,  スイッチング特性 ,  キャリア濃度