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J-GLOBAL ID:201702267063717028   整理番号:17A0414165

窒化ケイ素フォトニック集積回路を用いたシリコンフォトニクスポートフォリオの拡大【Powered by NICT】

Expanding the Silicon Photonics Portfolio With Silicon Nitride Photonic Integrated Circuits
著者 (20件):
資料名:
巻: 35  号:ページ: 639-649  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0922A  ISSN: 0733-8724  CODEN: JLTEDG  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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高屈折率コントラストシリコン・オン・インシュレータ基板は,フォトニック集積のための支配的なCMOS互換性プラットフォームである。フォトニックチップを適用できる光通信応用におけるシリコンフォトニックチップ使用の成功は,新しい地域への道を開いた。センシングと分光学的応用のための競合技術として出現している。シリコンフォトニクスへの応用のこの増加範囲は新材料の探索に関心を誘発する,シリコン-オン-絶縁体は,これらの新しいアプリケーションのためのいくつかの欠点を持っているので,例えば,けい素は可視波長領域で透明ではない。窒化ケイ素は,代替材料プラットフォームである。は中程度に高い屈折率コントラストを有し,シリコン-オン-絶縁体のような,フォトニック集積回路を製造するためのCMOSプロセスを用いた。本論文では,これらの二材料プラットフォームに関連する利点と課題を考察した。,様々なシリコンフォトニック応用に広く使用されている,分散分光計の場合は,これらの二材料プラットフォームを提示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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光集積回路,集積光学 
タイトルに関連する用語 (3件):
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