LXIVワード線層BiCS技術に関する11.1 512Gb3b/セルのフラッシュメモリ【Powered by NICT】

Yamashita Ryuji; Magia Sagar; Higuchi Tsutomu; Yoneya Kazuhide; Yamamura Toshio; Mizukoshi Hiroyuki; Zaitsu Shingo; Yamashita Minoru; Toyama Shunichi; Kamae Norihiro; Lee Juan; Chen Shuo; Tao Jiawei; Mak William; Zhang Xiaohua; Yu Ying; Utsunomiya Yuko; Kato Yosuke; Sakai Manabu; Matsumoto Masahide; Chibvongodze Hardwell; Ookuma Naoki; Yabe Hiroki; Taigor Subodh; Samineni Rangarao; Kodama Takuyo; Kamata Yoshihiko; Namai Yuzuru; Huynh Jonathan; Wang Sung-En; He Yankang; Pham Trung; Saraf Vivek; Petkar Akshay; Watanabe Mitsuyuki; Hayashi Koichiro; Swarnkar Prashant; Miwa Hitoshi; Pradhan Aditya; Dey Sulagna; Dwibedy Debasish; Xavier Thushara; Balaga Muralikrishna; Agarwal Samiksha; Kulkarni Swaroop; Papasaheb Zameer; Deora Sahil; Hong Patrick; Wei Meiling; Balakrishnan Gopinath; Ariki Takuya; Verma Kapil; Siau Chang; Dong Yingda; Lu Ching-Huang; Miwa Toru; Moogat Farookh

文献

J-GLOBAL ID：201702267261134390 整理番号：17A0417535

LXIVワード線層BiCS技術に関する11.1 512Gb3b/セルのフラッシュメモリ【Powered by NICT】

11.1 A 512Gb 3b/cell flash memory on 64-word-line-layer BiCS technology

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資料名：
巻： 2017 号： ISSCC ページ： 196-197 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

FG結合とリソグラフィー限界へのフローティングゲート(FG)は,ダイサイズのさらなる減少から,2D NANDフラッシュ(例えば,2013[1,2]後3b/cell2D NANDを議論ISSCC論文ではない)を防止した。高密度多重積層3Dフラッシュは最初BiCSフラッシュ[3]として導入されて以来,3Dフラッシュ技術における最近の劇的な革新は積層の数を増やすことによってビット密度をされている。最初3b/cell3Dフラッシュは2015年に32層[4]を用い,2016[5]48層に達した。また,2.62と4.29Gb/mm~2[5,6]と同程度の高い密度が達成された,で示された。11.1.7であった。上記リソグラフィー限界を与えないこと3Dフラッシュ技術のこの迅速なスケーリングが可能である。はワード線層BiCS技術を用いて作製した512Gビット3b/cellフラッシュについて述べた。本研究では,三つの技術を実行(1)四ブロックも奇数組合せ列復号化は積層の増加を効果的に扱うための(2)耐久性と信頼性を改善するために選択されていないストリング予チャージ運転,および(3)読出しスループットを向上させるために遮蔽されたBL電流センシング。図11.1.1は金型光と重要な特徴の概略を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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半導体集積回路

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