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J-GLOBAL ID：201702267267512694   整理番号：17A0444700

n-ZnO nanorod/p GaN直接ボンディングヘテロ接合構造を有するZnO系発光ダイオードからの近紫外エレクトロルミネセンス【Powered by NICT】

Near-ultraviolet electroluminescence from ZnO-based light-emitting diodes with n-ZnO nanorod/p-GaN direct-bonding heterojunction structure

著者 (8件)： Chen Cheng (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Zhang Jun (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Chen Jingwen (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Wang Shuai (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Liang Renli (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Zhang Wei (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Dai Jiangnan (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Chen Changqing (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 189  ページ： 144-147  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基質として作用するAlドープZnO(AZO)導電性ガラスを用いてZnOナノロッド(NR)/p-GaNヘテロ接合直接接合発光ダイオード(LED)の作製と特性評価を行った。順方向バイアス下で,n-ZnO/p-GaNヘテロ接合は,390nmに位置する純粋な近紫外エレクトロルミネセンス(EL)発光を示すことができるが,深準位(DL)発光は,ほぼ完全に抑制された。EL発生と対応するキャリア輸送機構は,PLの結果とエネルギーバンド図に従って,定量的に調べた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *近紫外線 ,  *窒化ガリウム ,  *発光 ,  *エレクトロルミネセンス ,  *ヘテロ接合 ,  深い準位 ,  基質 ,  *ルミネセンス ,  キャラクタリゼーション ,  *発光ダイオード ,  *酸化亜鉛 ,  バイアス
準シソーラス用語： エネルギー帯 ,  キャリア輸送 ,  酸化亜鉛ナノロッド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ZnO ,  Nanorods ,  紫外線 ,  ルミネセンス ,  Semiconductors

分類 (2件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： ZnO ,  GaN ,  ボンディング ,  ヘテロ接合 ,  発光ダイオード ,  近紫外 ,  エレクトロルミネセンス