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J-GLOBAL ID：201702267341780334   整理番号：17A0258085

鉄分によるSNSE薄膜の光電気的性質の制御に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Optoelectric properties of SnSe thin-film regulated using ferroelectric polarization substrate

著者 (5件)： Song Bo (School of Science, Harbin Institute of Technology) ,  Han Jiecai (School of Astronautics, Harbin Institute of Technology) ,  Hao Runbao (School of Astronautics, Harbin Institute of Technology) ,  Li Jiajie (School of Astronautics, Harbin Institute of Technology) ,  Wang Xianjie (School of Science, Harbin Institute of Technology)
資料名： Harbin Gongye Daxue Xuebao  (Harbin Gongye Daxue Xuebao)
巻： 48  号： 11  ページ： 1-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1450A  ISSN： 0367-6234  CODEN： HPKYAY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： パルスレーザ蒸着(PLD)技術を用いて、ニオブ酸リチウム薄膜上にSNSE薄膜を堆積させ、異なる分極方向の鉄基板がSNSE薄膜の光電特性に与える影響を研究した。PLDの堆積時間を制御することによって、異なる厚さのSNSE薄膜をニオブ酸塩層の上に堆積させた。X線回折とX線光電子分光分析の結果は,高配向単相SNSE薄膜が得られることを示した。薄膜の断面積層の結果は,薄膜が高い結晶品質を持つことを示した。無光照射の下では,強誘電体の配向が薄膜の方向に配向するとき,P-SNSE薄膜の電気抵抗は,SNSE薄膜に電子ビームを注入することによって増加することができた。分極方向が薄膜に偏析すると、極はSNSE薄膜に正孔を注入することができ、P型SNSE薄膜の抵抗を低下させることができる。SNSE薄膜の電子-正孔分離の632NMレーザを照射するだけで、異なる分極方向のサンプルはいずれも光コンダクタンスが増加する現象を示した。405NMレーザで照射した場合、異なる分極方向のニオブ酸リチウムと薄膜界面で発生した電子-正孔の分離は、SNSE薄膜を完全に異なる光コンダクタンス効果を示した。バンドギャップモデルを利用して、異なる鉄の分極方向の鉄基板がSNSE薄膜の光電導性質に対する調節メカニズムを説明した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子ビーム ,  X線回折 ,  コンダクタンス ,  *鉄 ,  偏析 ,  X線光電子分光法 ,  パルスレーザ蒸着 ,  界面 ,  正孔 ,  単相 ,  ニオブ酸リチウム ,  光伝導 ,  強誘電体 ,  ニオブ酸塩 ,  *薄膜

著者キーワード (5件)： ferroelectric polarization ,  LiNbO_3 ,  SnSe thin-film ,  photoelectric modulation ,  pulsed laser deposition

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 鉄分 ,  薄膜 ,  電気的性質 ,  研究