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J-GLOBAL ID：201702267378183349   整理番号：17A0375780

化学的沈殿を用いた半導体廃水からのふっ化物,アンモニア態窒素及びりん酸塩の同時除去に関する研究【Powered by NICT】

Investigation on the simultaneous removal of fluoride, ammonia nitrogen and phosphate from semiconductor wastewater using chemical precipitation

著者 (5件)： Huang Haiming (Hebei Key Laboratory of Applied Chemistry, School of Environmental and Chemical Engineering, Yanshan University, Qinhuangdao 066004, PR China) ,  Liu Jiahui (Hebei Key Laboratory of Applied Chemistry, School of Environmental and Chemical Engineering, Yanshan University, Qinhuangdao 066004, PR China) ,  Zhang Peng (Hebei Key Laboratory of Applied Chemistry, School of Environmental and Chemical Engineering, Yanshan University, Qinhuangdao 066004, PR China) ,  Zhang Dingding (Hebei Key Laboratory of Applied Chemistry, School of Environmental and Chemical Engineering, Yanshan University, Qinhuangdao 066004, PR China) ,  Gao Faming (Hebei Key Laboratory of Applied Chemistry, School of Environmental and Chemical Engineering, Yanshan University, Qinhuangdao 066004, PR China)
資料名： Chemical Engineering Journal  (Chemical Engineering Journal)
巻： 307  ページ： 696-706  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0723A  ISSN： 1385-8947  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,化学沈殿による半導体廃水からの全アンモニア態窒素(TAN),リン酸塩(PO_4P)とフッ化物(F~ )の同時除去を研究した。実験室規模の実験結果は,マグネシウム塩を用いたフッ化物除去は良好な性能を示したことを明らかにした。ふっ化物存在はストルーバイト結晶化を阻害し,この過程でできるようになった。ストルーバイト結晶化に対するフッ化物の阻害比は,フッ化物濃度の増加とpH値の低下と著しく増加した。半導体廃水中のストルバイト沈殿の最適pHは9.5,フッ化物効果は有意に減少した値とした。,さらにフッ化物効果を低下させるために,マグネシウム源の過剰投与がストルーバイト沈殿のプロセスが必要であった。実験の結果は,にがりをoverdosingブルーサイト過剰投与と比較して半導体廃水を処理するためのより有効な方法であることを示した。これはマグネシウム源として採用した場合,大量の未反応ブルーサイトのは溶液中に残留した,コスト増加し,手術困難を引き起こすためであった。パイロットスケール研究は,TANのPO_4P,58%とF~ の91%の97%は二段階析出プロセスによる半導体廃水から除去できることを示した。経済分析は提案したプロセスの処理コストは約1.58ドル/m~3であったことを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *アンモニア態窒素 ,  ブルーサイト ,  マグネシウム ,  *半導体 ,  経済分析 ,  *廃水 ,  *沈殿 ,  結晶化 ,  *フッ化物
準シソーラス用語： にがり ,  最適pH ,  ストルーバイト ,  フッ化物除去 ,  *同時除去 ,  *化学的沈殿 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： アンモニア窒素 ,  りん酸塩 ,  ふっ化物 ,  ストルーバイト ,  半導体廃水

分類 (2件)： 吸着剤  (YB03000W) ,  吸着,イオン交換  (XD02060I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 化学的沈殿 ,  廃水 ,  ふっ化物 ,  アンモニア態窒素 ,  りん酸塩 ,  同時除去 ,  研究