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J-GLOBAL ID：201702267825739366   整理番号：17A0765281

非晶質Er_2O_3膜の構造と電気的特性に及ぼすアニーリング効果【Powered by NICT】

Annealing effects on the structure and electrical characteristics of amorphous Er_2O_3 films

著者 (4件)： Fang Ze-Bo (Fadan University) ,  Zhu Yan-Yan (Fadan University) ,  Wang Jia-Le (Fadan University) ,  Jiang Zui-Min (Fadan University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 18  号： 8  ページ： 3542-3546  発行年： 2009年08月 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質Er_2O_3膜を,反応性蒸発を用いてSi(001)基板上に堆積した。本論文では,酸素雰囲気中でのアニーリング温度の構造,形態および電気特性の変化を報告した。X線回折と高分解能透過型電子顕微鏡測定から,膜は700°Cでの焼鈍後も非晶質のままであることを示した。450°CでアニールしたEr_2O_3膜の蓄積領域における静電容量は他の温度でアニールした蒸着したままの膜と膜のそれより高かった。Er_2O_3/ErO_x/SiO_x/Si構造モデルは結果を説明するために提案した。アニールした後にアニールした膜は,膜の形態と組成の変化による低漏れ電流密度( 1Vのバイアスで約1.38×10~( 4)cm 2)を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *非晶質 ,  焼なまし ,  蒸発 ,  バイアス ,  電気特性 ,  *電気的性質 ,  静電容量 ,  ケイ素 ,  X線回折
準シソーラス用語： 漏れ電流密度 ,  構造モデル ,  HRTEM ,  アニーリング温度 ,  酸素雰囲気 ,  *アニーリング効果 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Er_2O_3 ,  ゲート誘電体 ,  非晶質

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 非晶質 ,  電気的特性 ,  アニーリング効果