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J-GLOBAL ID：201702267861896628   整理番号：17A0697884

低温水溶液法による完全溶液処理金属酸化物薄膜トランジスタ【Powered by NICT】

Fully solution-processed metal oxide thin-film transistors via a low-temperature aqueous route

著者 (7件)： Xu Wangying (Guangdong Research Center for Interfacial Engineering of Functional Materials, Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Long Mingzhu (Department of Electronic Engineering, Materials Science and Technology Research Center, The Chinese University of Hong Kong, Shatin, New Territories, Hong Kong, China) ,  Zhang Tiankai (Department of Electronic Engineering, Materials Science and Technology Research Center, The Chinese University of Hong Kong, Shatin, New Territories, Hong Kong, China) ,  Liang Lingyan (Division of Functional Materials and Nano Devices, Ningbo Institute of Materials Technology & Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, China) ,  Cao Hongtao (Division of Functional Materials and Nano Devices, Ningbo Institute of Materials Technology & Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, China) ,  Zhu Deliang (Guangdong Research Center for Interfacial Engineering of Functional Materials, Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Xu Jian-Bin (Department of Electronic Engineering, Materials Science and Technology Research Center, The Chinese University of Hong Kong, Shatin, New Territories, Hong Kong, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 8  ページ： 6130-6137  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は種々の酸化物薄膜(Al_2O_3,In_2O_3及びInZnO)の作製のための容易で低温水性ルートを報告した。これらのゾル-ゲル誘導薄膜の形成と特性を明らかにするために実施した詳細な研究。結果から,水ベースの酸化物薄膜を硝酸基の分解と金属水酸化物の変換金属酸化物骨格を形成することを受けることを示した。高品質酸化物薄膜は,この水溶液ルートにより低温で達成することができた。さらに,これら酸化物薄膜は,薄膜トランジスタ(TFT)を形成するために統合され,電気的性能を系統的に研究した。特に,250°Cの最大加工温度で30.88cm~2V~ 1s~ 1の高い移動度と4Vの低動作電圧をもつIn_2O_3/Al_2O_3TFTを実証したCopyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *水溶液 ,  硝酸 ,  *冷水 ,  *低温 ,  水酸化物 ,  *金属酸化物 ,  加工温度 ,  *薄膜 ,  *薄膜トランジスタ ,  移動度
準シソーラス用語： 動作電圧 ,  高品質 ,  *酸化物薄膜 ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 溶液処理 ,  金属酸化物薄膜トランジスタ ,  低温 ,  水溶液ルート

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 低温 ,  金属酸化物薄膜 ,  トランジスタ