文献

J-GLOBAL ID：201702267869564598   整理番号：17A1139156

中波長赤外熱輻射変調に向けたGaN/AlGaN量子井戸サブバンド間吸収の電圧制御

著者 (5件)： DONGYEON Kang Daniel (京大 大学院) ,  井上卓也 (京大 大学院) ,  井上卓也 (K-CONNEX) ,  浅野卓 (京大 大学院) ,  野田進 (京大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.6a-A405-9  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： バンド構造 ,  *量子井戸 ,  電圧制御 ,  熱放射 ,  *窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *光吸収 ,  赤外線 ,  光変調 ,  半導体薄膜 ,  フォトニック結晶
準シソーラス用語： AlGaN ,  *サブバンド間吸収 ,  熱輻射

分類 (2件)： 光の屈折,反射,分散,偏向,吸収,透過  (BD03020B) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： 波長 ,  赤外 ,  熱輻射 ,  変調 ,  GaN ,  AlGaN ,  量子井戸 ,  サブバンド間吸収 ,  電圧制御