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J-GLOBAL ID：201702268239475214   整理番号：17A0323751

前計測スロットダイコーティングプロセスによる高性能薄膜トランジスタのための溶液処理したジケトピロロピロール系高分子の凝集と結晶化の制御【Powered by NICT】

Controlling aggregation and crystallization of solution processed diketopyrrolopyrrole based polymer for high performance thin film transistors by pre-metered slot die coating process

著者 (10件)： Chang Jingjing (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, 2 South Taibai Road, Xi’an 710071, China) ,  Chang Jingjing (Institute of Materials Research and Engineering, A*STAR, 3 Research Link, 117602, Singapore) ,  Chang Jingjing (Department of Chemistry, National University of Singapore, 3 Science Drive 3, 117543, Singapore) ,  Sonar Prashant (School of Chemistry, Physics and Mechanical Engineering, Queensland University of Technology (QUT), 2 George Street, Brisbane, QLD 4001, Australia) ,  Lin Zhenhua (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, 2 South Taibai Road, Xi’an 710071, China) ,  Zhang Chunfu (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, 2 South Taibai Road, Xi’an 710071, China) ,  Zhang Jie (Institute of Materials Research and Engineering, A*STAR, 3 Research Link, 117602, Singapore) ,  Hao Yue (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, 2 South Taibai Road, Xi’an 710071, China) ,  Wu Jishan (Institute of Materials Research and Engineering, A*STAR, 3 Research Link, 117602, Singapore) ,  Wu Jishan (Department of Chemistry, National University of Singapore, 3 Science Drive 3, 117543, Singapore)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 36  ページ： 113-119  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機半導体は,それらの良好な溶液加工性,低堆積温度および大面積印刷技術と互換性のためにプラスチックエレクトロニクスのための注目を集めている。高分子に基づく電界効果トランジスタの電荷輸送特性は,それらの非晶質領域と高分子鎖間の弱い相互作用によって制限される。本研究では,反溶媒メタノールのような高分子鎖凝集を促進するために導入し,スロットダイ被覆を用いて,膜の形態を微調整することである。電荷輸送,表面形態,及び固体状態充填,素子性能に及ぼす反溶媒導入とスロットダイコーティング法の効果を詳細に調べた。反溶媒比と高分子鎖凝集を最適化することにより,高分子素子の電荷輸送特性が有意に改善されることが観察された。平均電荷キャリア移動度3.76cm~2V~ 1s~ 1および4.10cm~2V~ 1s~ 1の最大移動度は最適条件下で達成された。混合溶媒システムを組み合わせることにより,凝集度を制御し,スロットダイ被覆技術は高性能高分子電界効果トランジスタを達成するための便利で実用的な方法を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 高分子鎖 ,  キャリア移動度 ,  *凝集 ,  *高分子 ,  固相 ,  移動度 ,  最適化 ,  *薄膜トランジスタ ,  有機半導体 ,  分子素子 ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： 表面形態 ,  貧溶媒 ,  電荷輸送 ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 薄膜トランジスタ ,  PDPPF DTT ,  スロットは金型コーティング ,  Aggregation ,  貧溶媒

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (1件)： メタノール

タイトルに関連する用語 (6件)： 計測 ,  薄膜トランジスタ ,  溶液処理 ,  高分子 ,  凝集 ,  結晶化