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J-GLOBAL ID：201702268519336263   整理番号：17A0325941

効率的なバンドギャップ工学と高性能(光)エレクトロニクスに向けた組成調節可能な2次元SnSe_2(1 x)S_2x合金【Powered by NICT】

Composition-tunable 2D SnSe_2(1-x)S_2x alloys towards efficient bandgap engineering and high performance (opto)electronics

著者 (9件)： Wang Yan (State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Le Huang ,  Li Bo ,  Shang Jimin ,  Xia Congxin ,  Fan Chao ,  Deng Hui-Xiong ,  Wei Zhongming ,  Li Jingbo
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 1  ページ： 84-90  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 効率的なバンドギャップ工学は,ナノエレクトロニクス,オプトエレクトロニクスおよびフォトニクスなど多用途デバイスに広く関与している二次元(2D)層状材料の利用のための重要な戦略である。異なる成分の合金化遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)は人工的に設計された調整可能なバンドギャップをもつ2次元ナノ構造半導体を得るために非常に効果的な方法として証明されている。ここでは,1.37eV(SnSe_2)から2.27eV(SnS_2)の範囲で連続的にバンドギャップをもつ化学気相輸送(CVT)成長させたSnSe_2(1 x)S_2x合金の系統的研究を報告した。2D SnSe_2(1 x)S_2xナノシートのキャリア移動度は,合金中のS組成を制御することによって2.34cm~2V~ 1s~ 1(SnS_2)71.30cm~2V~ 1s~ 1(SnSe_2)に調整することができた。SnSeSのキャリア移動度は,照明下で10.34~12.16cm~2V~ 1s~ 1から増加し,優れた光電特性を示した。著者らの研究は,SnSe_2(1 x)S_2xナノシートは,次世代ナノエレクトロニクスとオプトエレクトロニクス応用のための高品質2次元材料であることを示唆した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *合金 ,  積層材料 ,  *バンドギャップ ,  気相 ,  合金化 ,  *電子技術 ,  オプトエレクトロニクス ,  ナノ構造 ,  *二次元 ,  キャリア移動度 ,  ナノシート
準シソーラス用語： 高品質 ,  光電気 ,  フォトニクス ,  ナノエレクトロニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (6件)： 塩  (CD01050V) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  非遷移金属元素の錯体  (CE01030C) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： バンドギャップ ,  工学 ,  高性能 ,  エレクトロニクス ,  組成 ,  調節 ,  2次元 ,  合金