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J-GLOBAL ID：201702268746470974   整理番号：17A0749457

グラフェンエレクトロニクスのためのエピタキシャル自己集合したアルカン層【Powered by NICT】

Epitaxially Self-Assembled Alkane Layers for Graphene Electronics

著者 (14件)： Yu Young-Jun (ICT Materials and Components Basic Research Group, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), Daejeon, 34129, Korea) ,  Lee Gwan-Hyoung (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul, 03722, Korea) ,  Choi Ji Il (Graduate School of Energy, Environment, Water, and Sustainability, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, 305-701, Korea) ,  Shim Yoon Su (Graduate School of Energy, Environment, Water, and Sustainability, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, 305-701, Korea) ,  Lee Chul-Ho (KU-KIST Graduate School of Converging Science and Technology, Korea University, Seoul, 136-701, Korea) ,  Kang Seok Ju (School of Energy and Chemical Engineering, UNIST, Ulsan, 689-798, Korea) ,  Lee Sunwoo (Department of Electrical Engineering, Columbia University, New York, NY, 10027, USA) ,  Rim Kwang Taeg (Department of Chemistry, Columbia University, New York, NY, 10027, USA) ,  Flynn George W. (Department of Chemistry, Columbia University, New York, NY, 10027, USA) ,  Hone James (Department of Mechanical Engineering, Columbia University, New York, NY, 10027, USA) ,  Kim Yong-Hoon (Graduate School of Energy, Environment, Water, and Sustainability, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, 305-701, Korea) ,  Kim Philip (Department of Physics, Harvard University, Cambridge, MA, 02138, USA) ,  Nuckolls Colin (Department of Chemistry, Columbia University, New York, NY, 10027, USA) ,  Ahn Seokhoon (Institute of Advanced Composite Materials, Korea Institute of Science and Technology, Jeonbuk, 565-905, Korea)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 5  ページ： ROMBUNNO.201603925  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン上にエピタキシャル成長させたアルカン層は単純な滴下キャスティング法により調製し,グラフェンにおける環境駆動ドーピングと電荷不純物を低減した。マルチスケールシミュレーション研究はグラフェン中の電荷均質性のこの増強はSiO_2表面規則と剛性アルカン自己集合層からグラフェンのリフティングに由来することを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 剛性 ,  *グラフェン ,  電荷 ,  *エピタクシー ,  鋳造 ,  不純物 ,  *自己集合 ,  *アルカン
準シソーラス用語： マルチスケールシミュレーション ,  滴下 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： グラフェン ,  mobility ,  不動態化 ,  自己組立 ,  van der Waals相互作用

分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  固-気界面一般  (CB12041H)

タイトルに関連する用語 (3件)： エピタキシャル ,  自己集合 ,  アルカン