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J-GLOBAL ID：201702268933801547   整理番号：17A0204252

sSi/Si(0.5)Ge(0.5)/sSOI量子井戸p-MOSFETに対するCoulomb散乱の研究【Powered by NICT】

Investigation of Coulomb scattering on sSi/Si_(0.5)Ge_(0.5)/sSOI quantum-well p-MOSFETs

著者 (9件)： Wen Jiao (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University) ,  Liu Qiang (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University) ,  Liu Chang (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Yize (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Bo (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Xue Zhongying (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Di Zengfeng (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Yu Wenjie (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhao Qingtai (Peter Grunberg Institute 9, JARA-FIT, Forschungszentrum Julich)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 9  ページ： 094002-1-094002-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO_2/TiNゲートスタックを持つsSi/Si(0.5)Ge(0.5)/sSOI量子井戸(QW)p-MOSFETを作製し,特性化した。低温実験結果によれば,歪んだSi(0.5)Ge(0.5)量子井戸p-MOSFETのキャリア移動度は主に300~150Kからのフォノン散乱と150K以下でCoulomb散乱によって支配された。このSi/SiGeヘテロ構造のSiキャップ層,これはSiGeチャネル中のキャリア移動度の劣化につながったに蓄積された反転電荷によって強化された,特に低温であったCoulomb散乱。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *MOSFET ,  キャラクタリゼーション ,  *Coulomb散乱 ,  低温 ,  電荷 ,  キャリア移動度 ,  *量子井戸
準シソーラス用語： キャップ層 ,  ヘテロ構造 ,  シリコンゲルマニウム ,  フォノン散乱 ,  ゲートスタック ,  窒化チタン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： SiGe ,  量子井戸 ,  正孔移動度 ,  Coulomb散乱

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： SSI ,  Si ,  Ge ,  量子井戸 ,  MOSFET ,  Coulomb散乱 ,  研究