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J-GLOBAL ID：201702269206141966   整理番号：17A0758100

マルチチップSiCパワーモジュールのVHDL-AMSモデリング【Powered by NICT】

VHDL-AMS modelling of multi-chip SiC power modules

著者 (4件)： Olanrewaju Olufisayo (Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Nottingham Nottingham, UK) ,  Mouawad Bassem (Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Nottingham Nottingham, UK) ,  Castellazzi Alberto (Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Nottingham Nottingham, UK) ,  Kraus Rainer (Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Bundeswehr, Neubiberg, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： WiPDA  ページ： 347-352  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,パワーモジュールにおけるマルチドメイン効果(電気的,熱的,および電磁)は,最小の計算コストで正確に観測できるマルチチップ炭化けい素(SiC)パワーモジュールのモデル化のための方法論を提示した。市販の数値解析ソフトであるこれらの効果を示すことができるが,一つのドメイン(例えば熱)からの効果は実時間シミュレーションにおける他の領域(例えば電気的)に影響するフィードバックできるが現在ではない市販のソフトウェアパッケージ。本研究では,最新の半導体モデルはモデルの電気的,熱的および電磁的側面を記述する物理学ベースの方程式を作成した。モデルの熱的アスペクトの計算効率を増加するためのアルゴリズムも提示した。モデルを用いて,定常状態,動的およびマルチチップ構成で試験し,結果は,この分野における以前の研究からの実験とシミュレーションを用いて検証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： モデル ,  *モデリング ,  *炭化ケイ素 ,  プログラムパッケージ ,  アルゴリズム ,  半導体 ,  *VHDL ,  数値解析
準シソーラス用語： 定常状態 ,  計算効率 ,  リアルタイムシミュレーション ,  計算コスト ,  マルチドメイン ,  *パワーモジュール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 電動機  (NB07030U) ,  集積回路一般  (NC03161C) ,  AD・DA変換回路  (NC05080M) ,  数値解析,近似法  (AB04000F) ,  その他の熱的変量の計測法・機器  (AD06040R)

タイトルに関連する用語 (5件)： マルチ ,  SiC ,  パワーモジュール ,  VHDL-AMS ,  モデリング