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J-GLOBAL ID:201702269231395109   整理番号:17A0329211

熱圧縮結合とウエハレベルアンダーフィルを用いた3次元IC組立品質改善とスループット向上のための戦略【Powered by NICT】

3D IC assembly using thermal compression bonding and wafer-level underfill - Strategies for quality improvement and throughput enhancement
著者 (14件):
資料名:
巻: 2016  号: EPTC  ページ: 791-796  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ドライフィルム積層ウエハレベルアンダーフィル(WLUF)材料を用いた熱圧着(TCB)プロセスの品質向上とスループット向上のための鍵となる側面を検討した。WLUF材料はプレ集合と集合プロセスステップとの良好な適合性を持たなければならない。後とWLUF積層を含むすべてのプロセス段階はWLUF材料の完全性を保証し,結果としてより高い積層収率をもたらす同時最適化されなければならない。TCBプロファイルの最適化異なる段階によって達成される良好なバンプ接合とアンダーフィル充填品質。垂直集団結合(VCB)と呼ばれる,WULFによって可能になった新しい方法は,多層3D積層に適用し,良好な結合品質と重要なプロセス時間の節約を生み出している。VCBプロセスにより作製した多層3Dスタックは高温度貯蔵と熱サイクル試験において良好な熱機械的信頼性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス材料  ,  固体デバイス製造技術一般 

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