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J-GLOBAL ID：201702269337046045   整理番号：17A0453196

簡単な引かき法によるナノ溝SiO_2誘電層上のペンタセン分子と輸送異方性の表面誘起配向有機薄膜トランジスタの移動度に及ぼす表面粗さと分子配向の研究【Powered by NICT】

Surface-induced orientation of pentacene molecules and transport anisotropy on nanogroove SiO₂ dielectric layer by simple scratched method: The study of surface roughness and molecular alignment on the mobility of organic thin film transistors

著者 (9件)： Kim Aryeon (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon, 34114, Republic of Korea) ,  Choi Won Jin (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon, 34114, Republic of Korea) ,  Jang Kwang-Suk (Department of Chemical Engineering, Hankyong National University, Anseong, 17579, Republic of Korea) ,  Jeong Hyeonsu (Institute of Advanced Composite Materials, Korea Institute of Science and Technology, Wanju-gun, Jeonbuk 55324, Republic of Korea) ,  Kim Jinsoo (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon, 34114, Republic of Korea) ,  Ka Jae-Won (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon, 34114, Republic of Korea) ,  Won Jong Chan (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon, 34114, Republic of Korea) ,  Lee Jeong-O. (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon, 34114, Republic of Korea) ,  Kim Yun Ho (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon, 34114, Republic of Korea)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 42  ページ： 316-321  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来SiO_2/Si基板上のペンタセン薄膜トランジスタ(TFT)における優先面内分子配向と電荷輸送異方性を得た。1 3nmの深さをもつナノスケールSiO_2溝は面内異方性を持つペンタセンの配向成長を誘導するための新しいタイプの配列の鋳型を作成するためにダイヤモンド粉末を用いた簡単な引かきプロセスによって調製した。原子間力顕微鏡とすれすれ入射X線回折の結果は,ナノ溝SiO_2構造はペンタセンの整列と成長モードを制御できることを示し,ペンタセン結晶の粒径を著しく減少させた。ナノ溝構造(0.392±0.039cm~2/(V s))の平行軸に沿った電荷キャリア移動度は配向に垂直な方向よりも四倍以上高かった(0.104±0.048cm~2/(V s))。さらに筆者等は,ペンタセンTFTの電気的性質に及ぼすナノ溝SiO_2の表面粗さの影響を調べ,SiO_2誘電体層の表面粗さはペンタセン分子の選択整列と比較してデバイス性能に対するより重要な因子であることを見出した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  ダイヤモンド ,  *移動度 ,  原子間力顕微鏡 ,  粒径 ,  *異方性 ,  アラインメント ,  *薄膜トランジスタ ,  ポリアセン
準シソーラス用語： すれすれ入射X線回折 ,  ナノスケール ,  電荷輸送 ,  シリコンウエハ ,  *有機薄膜トランジスタ ,  *絶縁層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ナノグルーブ ,  ペンタセン ,  分子異方性 ,  表面粗さ ,  OTFT

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (13件)： 法 ,  誘電層 ,  ペンタセン ,  分子 ,  輸送 ,  異方性 ,  誘起 ,  配向 ,  有機薄膜トランジスタ ,  移動度 ,  表面粗さ ,  分子配向 ,  研究