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J-GLOBAL ID：201702269415228478   整理番号：17A0365257

単分子層からの残留応力の予測多層膜【Powered by NICT】

Predicting multilayer film’s residual stress from its monolayers

著者 (6件)： Guo C.Q. (Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016, China) ,  Pei Z.L. (Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016, China) ,  Fan D. (Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016, China) ,  Liu R.D. (Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016, China) ,  Gong J. (Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016, China) ,  Sun C. (Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016, China)
資料名： Materials & Design  (Materials & Design)
巻： 110  ページ： 858-864  発行年： 2016年 
JST資料番号： A0495B  ISSN： 0264-1275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多層膜の残留応力はStoney公式から推定した。多層残留応力は,各単分子層の残留応力の重み付き平均により与えられることを意味する,単純な応力式を勾配ダイヤモンド状炭素(DLC)と陰極真空アーク技術により作製したCrN/DLC多層膜の実験により提案し,検証した。交互多分子層の典型的な応力式も対応するDLC多層膜を調べた。多層膜中に存在する単分子層と共に,多層試料を調製し,研究した。表面形状測定および膜応力試験機は,膜の厚さと残留応力を測定するために使用した。多層膜の断面形態を走査電子顕微鏡で観察した。結果は,提案した応力式は正しいし,多層設計に関する有用な指示を与えることを示した。単分子層による多層の残留応力を予測する式の精度についても検討した。本論文では,理論値の相対誤差は0.2%~10.7%の範囲にあり,基板-膜界面と強い関係を持つであった。さらに,交互多層膜について,その残留応力は単分子層の数が偶数として一定値であるこの数が奇数のが,多層膜の残留応力は,徐々にフォトルミネセンス強度が一定値に近くなる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 試験装置 ,  *残留応力 ,  界面 ,  多分子層 ,  光ルミネセンス ,  走査電子顕微鏡 ,  *多層膜 ,  *多層 ,  偶数 ,  膜応力 ,  *単分子層 ,  真空アーク ,  奇数
準シソーラス用語： 交互多層膜 ,  相対誤差 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 残留応力 ,  多層膜 ,  ダイヤモンド状炭素 ,  CrN/DLC多層膜 ,  陰極真空アーク

分類 (1件)： 機械的性質  (WB02030U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単分子層 ,  残留応力 ,  予測 ,  多層膜