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J-GLOBAL ID：201702269483259067   整理番号：17A0825219

14nm FinFETとRFおよびSRAM性能のためのにおけるT IDプロセス,形状とバイアス条件依存性の解析【Powered by NICT】

Analysis of TID Process, Geometry, and Bias Condition Dependence in 14-nm FinFETs and Implications for RF and SRAM Performance

著者 (17件)： King M. P. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Wu X. (GlobalFoundries, Malta, NY, USA) ,  Eller M. (GlobalFoundries, Malta, NY, USA) ,  Samavedam S. (GlobalFoundries, Malta, NY, USA) ,  Shaneyfelt M. R. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Silva A. I. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Draper B. L. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Rice W. C. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Meisenheimer T. L. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Felix J. A. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Zhang E. X. (Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Haeffner T. D. (Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Ball D. R. (Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Shetler K. J. (Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Alles M. L. (Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Kauppila J. S. (Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Massengill L. W. (Vanderbilt University, Nashville, TN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 64  号： 1  ページ： 285-292  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 全イオン化線量結果を示し,異なるしきい値調整インプラントプロセスと照射バイアス条件14nm FinFETの影響を示した。トランジスタタイプの最小放射線誘起しきい値電圧シフトが観測された。nMOSFETトランジスタのオフ状態漏れ電流は強いゲートバイアス依存性,サブフィン領域の静電ゲート制御を示す,対応する寄生伝導経路がFinFET技術における放射線耐性のための最大の関心事である。高V_thトランジスタはすべてのバイアス条件で,最も良好な照射性能に示し,オフ状態漏れ電流とV_th合理的に小さな変化を示したが,低V_thトランジスタはオフ状態漏れ電流のより大きな変化を示した。スタティックランダムアクセスメモリにおけるプルダウンとパスゲート両方nMOSFETのための照射中の」最悪」バイアス条件はオン状態(V_gs=V_dd)であると決定した。SRAMビットセルのnMOSFETプルダウンとパスゲートトランジスタは低V_thトランジスタ以下トランジスタ形状とチャネルドーピングの違いによる放射線誘起分解を示すことも見出す。近しきい値運転はオフ状態デバイス漏れ電流における放射線誘発増加を低減するための方法として提示した。14nm FinFET技術では,モデリングは,高いチャネルストップドーピング素子は,臨界運転特性の最小シフトを持つリング発振器とSRAMビットセルの安定した運転を可能にするTIDに最もロバストな応答を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： イオン化 ,  トランジスタ ,  リング発振器 ,  放射線量 ,  モデリング ,  *SRAM ,  ロバスト性 ,  放射線 ,  漏れ電流 ,  *バイアス ,  耐放射線性
準シソーラス用語： オフ状態 ,  nMOSFET ,  閾値電圧シフト ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (8件)： FinFET ,  RF ,  SRAM ,  ID ,  プロセス ,  バイアス ,  依存性 ,  解析