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J-GLOBAL ID：201702269794447579   整理番号：17A0402860

ULSI-CuメタライゼーションのためのNiCrB拡散障壁層膜の無電解析出【Powered by NICT】

Electroless deposition of NiCrB diffusion barrier layer film for ULSI-Cu metallization

著者 (6件)： Wang Yuechun (School of Materials Science and Engineering, Yunnan University, Kunming, China) ,  Chen Xiuhua (School of Materials Science and Engineering, Yunnan University, Kunming, China) ,  Ma Wenhui (National Engineering Laboratory of Vacuum Metallurgy, Kunming University of Science and Technology, Kunming, China) ,  Shang Yudong (School of Materials Science and Engineering, Yunnan University, Kunming, China) ,  Lei Zhengtao (School of Materials Science and Engineering, Yunnan University, Kunming, China) ,  Xiang Fuwei (School of Materials Science and Engineering, Yunnan University, Kunming, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 396  ページ： 333-338  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ニッケルクロムホウ素膜をCu相互接続のための拡散障壁層として無電解堆積を用いてSi基板上に堆積した。調製したニッケルクロムホウ素/SiO_2/SiおよびNiCrB/Cu/NiCrB/SiO_2/Si試料は500°Cから900°Cの温度範囲でアニールした。ニッケルクロムホウ素膜,破壊温度とニッケルクロムホウ素拡散障壁層の破壊メカニズムの無電解析出の反応機構を調べた。調製した試料をアニーリング前後の試料の相,組成,シート抵抗と表面形態を調べるためにXRD,XPS,FPPとA FMを行った。これらの分析の結果は,ニッケルクロムホウ素障壁膜の破壊温度は900°Cであり,破壊機構は,高温アニーリング後のニッケルクロムホウ素障壁層の結晶化と結晶粒成長をもたらすことを示した。はこの過程がCu結晶粒を生じた粒界を通してSi基板に到達することをが見出され,CuとSiの間の反応は高抵抗Cu_3Siが形成された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： シート抵抗 ,  相互接続 ,  結晶粒界 ,  *拡散障壁 ,  *無電解めっき ,  ケイ素 ,  *電解 ,  *超LSI ,  焼なまし ,  *銅 ,  *メタライゼーション ,  結晶粒
準シソーラス用語： 表面形態 ,  シリコンウエハ ,  *バリア層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 無電解めっき ,  NiCrB薄膜 ,  拡散障壁層 ,  破壊機構 ,  アニーリング

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (6件)： ULSI ,  Cu ,  メタライゼーション ,  拡散 ,  障壁層 ,  無電解析出