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J-GLOBAL ID：201702269921838379   整理番号：17A0661500

WS_2とMoS_2に基づく高感度フローティングゲートフォトトランジスタ【Powered by NICT】

High-Sensitivity Floating-Gate Phototransistors Based on WS₂ and MoS₂

著者 (15件)： Gong Fan (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Gong Fan (Department of Physics and Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education, Wuhan University, Wuhan, 430072, China) ,  Luo Wenjin (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Wang Jianlu (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Wang Peng (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Fang Hehai (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Zheng Dingshan (Department of Physics and Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education, Wuhan University, Wuhan, 430072, China) ,  Guo Nan (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Wang Jingli (Department of Physics and Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education, Wuhan University, Wuhan, 430072, China) ,  Luo Man (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Ho Johnny C. (Department of Physics and Materials Science, City University of Hong Kong, Hong Kong SAR, China) ,  Chen Xiaoshuang (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Lu Wei (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Liao Lei (Department of Physics and Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education, Wuhan University, Wuhan, 430072, China. [e-mail]) ,  Hu Weida (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China. [e-mail])
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 26  号： 33  ページ： 6084-6090  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,2次元層状材料はそれらの原子厚さのために次世代フォトトランジスタ,容易に調整した単結晶van der Waalsヘテロ構造,超高速オプトエレクトロニクス特性,および広帯域光子吸収のための有望な光子吸収チャネル媒体として考えられてきた。しかし,大きなバイアス電圧下でも,このようなデバイスから得られた光感受性はこれまでまだ不十分である。WS_2とMoS_2に基づく高感度フォトトランジスタを提案し,設計し,ゲート誘電体に埋め込まれた金ナノ粒子(AuNP)を用いて作製した。,トンネリングとブロッキング誘電体間に位置し,これらのAuNPsは,暗電流を強く抑制するために効率的な電子捕獲を可能にすることが分かった。超低暗電流(10~ 11 A),高い光応答性(1090 A W~ 1),高検出感度(3.5×10~11Jones)は520nmの波長での低ソース/ドレインと零ゲート電圧下でWS_2デバイスで得られた。これらの結果は,フローティングゲートメモリ構造は高性能2D電子/光電子デバイスを達成するために効果的な構成であることを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： チャネル ,  *フォトトランジスタ ,  *高感度 ,  *フローティングゲート ,  単結晶 ,  広帯域 ,  二次元 ,  暗電流 ,  トンネル効果 ,  電子捕獲 ,  オプトエレクトロニクス
準シソーラス用語： 光応答 ,  金ナノ粒子 ,  バイアス電圧 ,  ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： フローティングゲートメモリ ,  金ナノ粒子 ,  MoS2 ,  フォトトランジスタ ,  WS2

分類 (4件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  分析機器  (CC02020S) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高感度 ,  フローティングゲート ,  フォトトランジスタ