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J-GLOBAL ID：201702270198578634   整理番号：17A0469726

プラズマ支援分子ビームエピタクシーによるN-及びin過剰下で成長した半極性(202 1),非極性(101 0)と極性(0001)InGaN多重量子井戸構造の比較研究【Powered by NICT】

Comparative study of semipolar ( 2 0 2 1 ) , nonpolar ( 1 0 1 0 ) and polar ( 0 0 0 1 ) InGaN multi-quantum well structures grown under N- and In-excess by plasma assisted molecular beam epitaxy

著者 (10件)： Sawicka M. (Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Sawicka M. (TopGaN Sp. z o.o., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Wolny P. (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Krysko M. (Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Turski H. (Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Szkudlarek K. (Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Grzanka S. (Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Grzanka S. (TopGaN Sp. z o.o., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Skierbiszewski C. (Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Skierbiszewski C. (TopGaN Sp. z o.o., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 465  ページ： 43-47  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN多重量子井戸(MQW)構造を半極性(202 1),非極性m面(101 0)と極性c面(0001)GaN基板上にプラズマ支援分子ビームエピタクシー(PAMBE)によって成長させた。表面形態,発光特性および構造的品質に及ぼす炉中及びN過剰成長条件の影響を調べた。窒素過剰下で成長させた半極性MQWsは滑らかな表面と420nmで室温で狭い光ルミネセンス(PL)を有していた。やや広い発光と,高い表面粗さを有する414nmで放出されたInリッチ条件下で成長させた半極性MQW。411nmとその表面で放出された窒素過剰下で成長させた非極性m面MQWは非常に粗かった。Inリッチ条件下で成長する場合,非極性多重量子井戸411nmが有意なピーク広がりで放出され,表面粗さと不均一で導入されるヒロックの形成に起因して観察された。同じ成長的に成長させたc面参照MQW構造は三次元成長モードと構造緩和に関連する貧弱な構造品質のために室温PLを示さなかった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 構造緩和 ,  *非極性 ,  *窒化ガリウム ,  窒化物 ,  *極性 ,  三次元 ,  *MBE成長 ,  窒素 ,  *多重量子井戸 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： ヒロック ,  発光特性 ,  表面形態 ,  *InGaN ,  *半極性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A3分子ビームエピタクシー ,  B1窒化物 ,  A1原子間力顕微鏡 ,  A1特性化

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (10件)： プラズマ ,  支援 ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  半極性 ,  非極性 ,  極性 ,  InGaN ,  多重量子井戸 ,  研究